内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:23.8 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:650 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:160 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4.5V 、 最低ゲートしきい値電圧:3.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V 、 パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ:スルーホール 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:176 W 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 Infineon CoolMOS E6 / P6シリーズパワーMOSFET. Infineon のCoolMOS E6及びP6シリーズのMOSFETです。 これらのデバイスは非常に効率が高く、力率補正(PFC)、照明、コンシューマデバイスだけでなく、太陽発電、通信、サーバーなど各種の用途で使用できます。
注文コード49249979
品番IPB60R160P6ATMA1