Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(4000個) 仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:24 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:3.8 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.35V●最低ゲートしきい値電圧:1.35V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●寸法:5 x 4 x 1.5mm●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 注文コード49250198 品番IRF8788TRPBF
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥395,780
販売価格(税別)
359,800
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:24 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:3.8 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.35V●最低ゲートしきい値電圧:1.35V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●寸法:5 x 4 x 1.5mm●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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