内容量1リール(4000個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:24 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:3.8 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.35V●最低ゲートしきい値電圧:1.35V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●寸法:5 x 4 x 1.5mm●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49250198
品番IRF8788TRPBF