内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:293 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:2.1 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:4V 、 最低ゲートしきい値電圧:2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:7+Tab 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:375 W 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49250776
品番IRFS3006TRL7PP