製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

Name: Infineon Nチャンネル パワーMOSFET
Brand: INFINEON
SKU: 49250803
Price: 42790 JPY
Availability: Discontinued

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1セット(50個) 仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：298 A、最大ドレイン-ソース間電圧：60 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：2.2 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：2.4V、最低ゲートしきい値電圧：1V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：I2PAK (TO-262)、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：375 W、標準ゲートチャージ @ Vgs：170 nC @ 4.5 V、StrongIRFET(TM)ロジックレベルパワーMOSFET. +5 Vロジックレベルのゲートドライブ向けに最適化されたInfineon StrongIRFETファミリの拡張製品です。これらの製品は、低R DS (on)による高い効率、高通電容量による堅牢性と動作信頼性など、既存のStrongIRFETファミリと同一の特性を共有しています。最適なR DS (on) @ V GS：+4.5 V バッテリ駆動システムに最適用途: モータドライバ、同期整流システム、OR-ing / 冗長電源スイッチ、DC-DCコンバータ注文コード49250803 品番IRL60SL216

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仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：298 A、最大ドレイン-ソース間電圧：60 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：2.2 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：2.4V、最低ゲートしきい値電圧：1V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：I2PAK (TO-262)、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：375 W、標準ゲートチャージ @ Vgs：170 nC @ 4.5 V、StrongIRFET(TM)ロジックレベルパワーMOSFET. +5 Vロジックレベルのゲートドライブ向けに最適化されたInfineon StrongIRFETファミリの拡張製品です。これらの製品は、低R DS (on)による高い効率、高通電容量による堅牢性と動作信頼性など、既存のStrongIRFETファミリと同一の特性を共有しています。最適なR DS (on) @ V GS：+4.5 V バッテリ駆動システムに最適用途: モータドライバ、同期整流システム、OR-ing / 冗長電源スイッチ、DC-DCコンバータ

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

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1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
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