製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

Name: Infineon Nチャンネル パワーMOSFET
Brand: INFINEON
SKU: 49250828
Price: 405900 JPY
Availability: Discontinued

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1リール(800個) 仕様チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：298 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：2.2 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.4V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：375 W●トランジスタ素材：Si●StrongIRFET?ロジックレベルパワーMOSFET. +5 Vロジックレベルのゲートドライブ向けに最適化されたInfineon StrongIRFETファミリの拡張製品です。これらの製品は、低R DS (on)による高い効率、高通電容量による堅牢性と動作信頼性など、既存のStrongIRFETファミリと同一の特性を共有しています。. 最適なR DS (on) @ V GS：+4.5 V バッテリ駆動システムに最適用途: モータドライバ、同期整流システム、OR-ing / 冗長電源スイッチ、DC-DCコンバータ注文コード49250828 品番IRL60S216

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参考基準価格(税別)オープン

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仕様チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：298 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：2.2 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.4V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：375 W●トランジスタ素材：Si●StrongIRFET?ロジックレベルパワーMOSFET. +5 Vロジックレベルのゲートドライブ向けに最適化されたInfineon StrongIRFETファミリの拡張製品です。これらの製品は、低R DS (on)による高い効率、高通電容量による堅牢性と動作信頼性など、既存のStrongIRFETファミリと同一の特性を共有しています。. 最適なR DS (on) @ V GS：+4.5 V バッテリ駆動システムに最適用途: モータドライバ、同期整流システム、OR-ing / 冗長電源スイッチ、DC-DCコンバータ RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

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1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）