内容量1袋(20個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:30 A●最大ドレイン-ソース間電圧:55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:24.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:DPAK (TO-252)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:48 W●シリーズ:HEXFET●NチャンネルパワーMOSFET 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49251223
品番IRFR4105ZTRPBF