製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

Name: Infineon Nチャンネル パワーMOSFET
Brand: INFINEON
SKU: 49251765
Price: 846 JPY
Availability: Discontinued

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Infineon NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1袋(2個) 仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：34 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：150 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：16 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：5V 、最低ゲートしきい値電圧：3V 、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、パッケージタイプ：TO-220FP 、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：46 W 、動作温度 Max：+150 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。注文コード49251765 品番IRFI4321PBF

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仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：34 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：150 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：16 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：5V 、最低ゲートしきい値電圧：3V 、最大ゲート-ソース間電圧：-30 V， +30 V 、パッケージタイプ：TO-220FP 、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：46 W 、動作温度 Max：+150 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
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2：RoHS(2)
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4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）