内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:40 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:13 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3.8V 、 最低ゲートしきい値電圧:2.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧:20 V 、 パッケージタイプ:TSDSON 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:69 W 、 動作温度 Min:-55 ℃
注文コード49252693
品番BSZ097N10NS5ATMA1