内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:43 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:9.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:TO-220FP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:47 W●標準入力キャパシタンス @ Vds:4910 pF @ 50 V●NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49252964
品番IRFI4410ZPBF