Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(10個) 仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:5.7 A、最大ドレイン-ソース間電圧:800 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:950 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.9V、最低ゲートしきい値電圧:2.1V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:DPAK (TO-252)、実装タイプ:表面実装、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:83 W、標準ターンオン遅延時間:25 ns、Infineon CoolMOS(TM) CEパワーMOSFET 注文コード49253558 品番IPD80R1K0CEATMA1
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,198円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,198
販売価格(税別)
1,998
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仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:5.7 A、最大ドレイン-ソース間電圧:800 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:950 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.9V、最低ゲートしきい値電圧:2.1V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:DPAK (TO-252)、実装タイプ:表面実装、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:83 W、標準ターンオン遅延時間:25 ns、Infineon CoolMOS(TM) CEパワーMOSFET

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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