内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:5.7 A、最大ドレイン-ソース間電圧:800 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:950 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.9V、最低ゲートしきい値電圧:2.1V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:DPAK (TO-252)、実装タイプ:表面実装、ピン数:3、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:83 W、標準ターンオン遅延時間:25 ns、Infineon CoolMOS(TM) CEパワーMOSFET
注文コード49253558
品番IPD80R1K0CEATMA1