製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

Name: Infineon Nチャンネル パワーMOSFET
Brand: INFINEON
SKU: 49253673
Price: 65890 JPY
Availability: Discontinued

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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Infineon NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1リール(1000個) 仕様チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：50 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：9 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：71 W●標準ターンオフ遅延時間：20nS●Infineon OptiMOS?3個のパワーMOSFET、60 → 80 V. OptiMOS?製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき注文コード49253673 品番IPB090N06N3GATMA1

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仕様チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：50 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：9 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：71 W●標準ターンオフ遅延時間：20nS●Infineon OptiMOS?3個のパワーMOSFET、60 → 80 V. OptiMOS?製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

回答：: お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

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2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
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