内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:55 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-16 V, +16 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:200 W●トランジスタ素材:Si●NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49254136
品番IRL2910STRLPBF