Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(30個) 仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:45 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.2V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:Micro6●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●標準ターンオフ遅延時間:36 ns●NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 注文コード49254653 品番IRLMS2002TRPBF
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は2,298円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,198
販売価格(税別)
1,998
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仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:45 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.2V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:Micro6●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●標準ターンオフ遅延時間:36 ns●NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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