内容量1袋(30個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:45 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.2V●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:Micro6●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2 W●標準ターンオフ遅延時間:36 ns●NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49254653
品番IRLMS2002TRPBF