内容量1袋(25個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:6.6 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:550 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:950 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3.5V 、 最低ゲートしきい値電圧:2.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3+Tab 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:5 W 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 Infineon CoolMOS(TM) CEパワーMOSFET
注文コード49254669
品番IPN50R950CEATMA1