内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:64 A●最大ドレイン-ソース間電圧:250 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:0.02 Ω●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費:300 W●トランジスタ素材:Si●Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
注文コード49255064
品番IPB200N25N3GATMA1