内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:86 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:0.0034 Ω●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TO-220FP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:75 W●標準ターンオフ遅延時間:55 ns●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49257478
品番IRFI7536GPBF