内容量1リール(800個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:86 A●最大ドレイン-ソース間電圧:150 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:14.7 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5V●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:7+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:350 W●標準ゲートチャージ @ Vgs:71 nC @ 10 V●NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49257539
品番IRFS4321TRL7PP