内容量1セット(50個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:87 A●最大ドレイン-ソース間電圧:75 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:7.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.7V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:143 W●標準ゲートチャージ @ Vgs:81 nC @ 10 V●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49257593
品番IRFB7740PBF