内容量1セット(50個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:88 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:10 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:200 W●標準ターンオン遅延時間:24 ns●車載用NチャンネルパワーMOSFET、Infineon. Infineonの車載製品向けAECQ-101認定済み、シングルダイNチャンネルデバイスの充実したポートフォリオは、さまざまな用途における幅広い電源要件に対応します。 ディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、表面実装及びリード付きパッケージ内のNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49257688
品番AUIRFB4410