内容量1リール(2500個)
仕様チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:9 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:550 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:900 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3.5V 、 最低ゲートしきい値電圧:2.5V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V 、 パッケージタイプ:DPAK (TO-252) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:3 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:83 W 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 Infineon CoolMOS?CPパワーMOSFET
注文コード49257864
品番IPD50R399CPBTMA1