内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:9 A、最大ドレイン-ソース間電圧:550 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:900 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:3.5V、最低ゲートしきい値電圧:2.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:DPAK (TO-252)、実装タイプ:表面実装、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:83 W、シリーズ:CoolMOS CP、Infineon CoolMOS(TM)CPパワーMOSFET
注文コード49257873
品番IPD50R399CPBTMA1