内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:9.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:80 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:15 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●1チップ当たりのエレメント数:1●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49257959
品番IRF7493TRPBF