内容量1袋(5個)
仕様チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：90 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.6 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：2.2V 最低ゲートしきい値電圧：1V 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V， +16 、 パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 実装タイプ：表面実装 ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費：136 、 標準ターンオフ遅延時間：62 ns Infineon OptiMOS(TM) T2パワーMOS(TM)ET. Infineonの新しいOptiMOS(TM)-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOS(TM)ETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS(TM) -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS(TM) -T及びOptiMOS(TM)の拡張ファミリです。 OptiMOS(TM)製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。. Nチャンネル 強化モード AEC認定 MSL1、最大260 ℃ピークのリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(RoHS対応)
注文コード49258327
品番IPD90N03S4L02ATMA1
