内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:10 A、最大ドレイン-ソース間電圧:800 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:1.1Ω、最大ゲートしきい値電圧:5.5V、最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V、パッケージタイプ:TO-220、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:300000 mW、標準ターンオン遅延時間:21 ns、NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET(TM) Polar(TM)シリーズ. IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET(TM))
注文コード49301203
品番IXFP10N80P