内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:120 A●最大ドレイン-ソース間電圧:650 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:0.023 Ω●最大ゲートしきい値電圧:5V●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-30 V, +30 V●パッケージタイプ:TO-264P●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.25 kW●シリーズ:X2-Class●NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ. IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。. 超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量) 真性整流ダイオード 低真性ゲート抵抗 低パッケージインダクタンス 産業用の標準パッケージ
注文コード49301553
品番IXTK120N65X2