Nexperia NPN トランジスタ

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内容量1袋(25個) 仕様トランジスタタイプ:NPN●最大DCコレクタ電流:900 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧:60 V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●最大パワー消費:1.25 W●最小DC電流ゲイン:100●トランジスタ構成:シングル●最大コレクタ-ベース間電圧:80 V●最大エミッタ-ベース間電圧:5 V●最大動作周波数:220 MHz●ピン数:3●1チップ当たりのエレメント数:1●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧:0.25 V●低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 注文コード49654773 品番PBSS4160T,215
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥1,428
販売価格(税別)
1,298
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仕様トランジスタタイプ:NPN●最大DCコレクタ電流:900 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧:60 V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●最大パワー消費:1.25 W●最小DC電流ゲイン:100●トランジスタ構成:シングル●最大コレクタ-ベース間電圧:80 V●最大エミッタ-ベース間電圧:5 V●最大動作周波数:220 MHz●ピン数:3●1チップ当たりのエレメント数:1●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧:0.25 V●低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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