その他【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】80ミリオーム @ 3.7A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大3V @ 250μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】20nC @ 10V、8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
タイプ【FET】2Nチャンネル(デュアル)
電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：3.7
機能【FET】論理レベルゲート
RoHS指令(10物質対応)対応
動作温度範囲(℃)-55〜175(TJ)
実装タイプ面実装
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大電力(W)2.4
