チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 1.35 W
トランジスタ構成 = フルブリッジ
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 5mm
高さ = 1.5mm
補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
