チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大パワー消費 = 1.7 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.8mm
高さ = 1.3mm
PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
