チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 700 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大パワー消費 = 806 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm
高さ = 1mm
PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc
