チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SM
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 1.7 W
トランジスタ構成 = フルブリッジ
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 3.7mm
高さ = 1.6mm
補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
