チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 6.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 12 nC @ 10 Vmm
高さ = 2.3mm
自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
