チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 61 A
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
シリーズ UniFET
実装タイプ スルーホール
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 3V
最大パワー消費 417000 mW
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V
幅 4.83mm
高さ 9.4mm
UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
