onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 6.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大パワー消費 = 2000 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
幅 = 4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。