onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 115 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-363
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 200 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.25mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。