チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 540 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = SOT-563
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V
最大パワー消費 = 250 mW
最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V
幅 = 1.3mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント
