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産業機械用オイルエレメントです。

産業機械用エアーエレメントです。

産業機械用フューエルエレメントです。

蒸気加熱復水冷却式の二重蓋構造で、確実な作動により蒸気ロスを減少。 バイメタル式の自動ブローオフ機構内蔵で、スタートアップ時間を短縮。 弁・弁座などの摩耗部品はユニットで交換可能。

蒸気プロセスに最適なスチームトラップ。 X-エレメントの採用で低温・高温エアを迅速に排除し、立上り時間を短縮。 ドレン連続排出するフリーフロートとX-エレメントのコンビネーションで、プロセスの加熱効率を向上。 背圧許容度が高いのでドレン回収に最適。 小型で大容量化を実現。

エナージェルインフリー用リフィル

スッと書けて、サッと乾く。軽くなめらかな書き味。クリアボディで直感的にインキ色がわかる

パソコン画面の左右からの覗き見を防止。プライバシーを守ります。周囲の明かり(蛍光灯や太陽光)の映り込みを抑え、画面を見やすくします。紫外線99%、ブルーライトを約45%カット。干渉縞モアレを防ぐフィルター構造キズが入りにくく、傷や汚れから液晶画面を保護するハードコート仕様です。取付用の両面テープと、スライドして取り外し可能にするためのマウンティングタブが付属します。

蒸気プロセスに最適なスチームトラップ X-エレメントの採用で低温・高温エアを迅速に排除し、立ち上がり時間を短縮 ドレンを連続排出するフリーフロートとX-エレメントのコンビネーションで、プロセスの加熱効率を向上 背圧許容度が高いのでドレン回収に最適 小型で大容量化を実現

高いシール性で信頼のあるディスク式逆止弁 取付方向を問わず、配管取付が容易 優れた耐久性

高いシール性で信頼のあるディスク式逆止弁 取付方向を問わず、配管取付が容易 優れた耐久性

カトラリー/洋食器食洗機の使用可能です。

蒸気加熱復水冷却式の二重蓋構造で、確実な作動により蒸気ロスを減少。 バイメタル式の自動ブローオフ機構内蔵で、スタートアップ時間を短縮。 弁・弁座などの摩耗部品はユニットで交換可能。

高いシール性で信頼のあるディスク式逆止弁 取付方向を問わず、配管取付が容易 優れた耐久性

空気保温式で空打ちと蒸気ロスを減少 コンパクトボディにY形ストレーナーを内蔵 排出口径を大きく設計し詰りを軽減

ドレンを連続排出するフリーフロート方式 動く部品はフロートのみで故障が少ない 小型軽量で取り付けスペースが小さい 外部からの強制開弁機構付きで、油類の詰りを簡単に解消

ボールの揺動で流体の流れを確実にチェック 小型・軽量

蒸気プロセスに最適なスチームトラップ X-エレメントの採用で低温・高温エアを迅速に排除し、立ち上がり時間を短縮 ドレンを連続排出するフリーフロートとX-エレメントのコンビネーションで、プロセスの加熱効率を向上 背圧許容度が高いのでドレン回収に最適 小型で大容量化を実現

作動音、流動音を拡大し、微妙な音まで聴き分け可能 携帯に便利

クリア軸から直感的にインキ色がわかるエナージェルインフリー。クリエイティブで自由なワークスタイルに相応しい"アイデア表現ツール"です。

QoS対応(EtherNet/IP・PROFINETパケットや上位PLC・スイッチなどで設定した優先タグを自動判別し、優先処理)、、冗長電源、メタル筐体、IP30

論理回路 = 74LVCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = プッシュプル極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ドライバ数 = 28入力タイプ = LVTTL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 2.38Gbps1チップ当たりのエレメント数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 56差動入力高閾値電圧 = 100mV差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 14 x 6.1 x 1mm高さ = 1mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 6.1mmLVDSトランシーバ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = オープンドレイン極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = LVTTL， TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS