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AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
出力数PWM:1 コントロール電流 ピン数(ピン)8
1袋(2個)ほか
699 税込769
翌々日出荷から7日以内出荷
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仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 最小タイオードキャパシタンス:4.3pF 、 最大逆電圧:28V 、 最小チューニングレシオ:5 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOD-323 、 ピン数:2 、 寸法:1.7 x 1.25 x 0.85mm 、 高さ:0.85mm 、 長さ:1.7mm 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 幅:1.25mm 、 バリキャップダイオード / バラクタダイオード、Infineon. 可変容量ダイオード(一般にバリキャップダイオード、バラクタダイオード、又はチューニングダイオードと呼ばれている)は、電圧の変化による静電容量の変化を必要とするさまざまな用途に有効です。 このダイオードは、RFチューニング、電圧制御発振器やフィルタ、周波数シンセサイザ、マルチプライヤをはじめとする幅広い用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(40個)
3,298 税込3,628
7日以内出荷








仕様ブリッジタイプ:単相 、 ピーク逆繰返し電圧:40V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOT-143 、 ピン数:4 、 ダイオードテクノロジー:ショットキー 、 構成:シングル 、 ピーク非繰返し順方向サージ電流:2A 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 ピーク順方向電圧:790mV 、 ピーク逆電流:10μA 、 長さ:2.9mm 、 幅:1.3mm 、 基板表面実装用ブリッジ整流器、BAS4002A、Infineon. 順方向低電圧ショットキーダイオードクワッドアレイ ロスの少ないブリッジ整流 高速スイッチング RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
64,980 税込71,478
7日以内出荷



仕様電源スイッチの種類:高速スイッチ 、 スイッチオン抵抗:0.165Ω 、 出力数:4 、 電圧:16V 、 電流:7.5A 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:DSO 、 ピン数:20 、 寸法:12.8 x 7.6 x 2.45mm 、 長さ:12.8mm 、 幅:7.6mm 、 高さ:2.45mm 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
869 税込956
7日以内出荷
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仕様電源スイッチの種類:ハイサイドNMOS 、 スイッチオン抵抗:5Ω 、 出力数:1 、 電圧:60V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 ピン数:3 + Tab 、 寸法:6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 長さ:6.5mm 、 幅:3.5mm 、 高さ:1.6mm 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 産業用ハイサイドスイッチ、Infineon. Infineonのシングル及びマルチチェック保護スマートハイサイドNMOSパワースイッチ製品です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)ほか
2,298 税込2,528
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)



仕様構成:シングル1:1 、 パッケージタイプ:TO-252 、 実装タイプ:表面実装 、 標準シングル供給電圧:52 V 、 スイッチタイプ:ハイサイド 、 ピン数:5 、 電源タイプ:シングル 、 入力信号タイプ:CMOS 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 1チップ当たりのチャンネル数:1 、 寸法:6.5 x 6.22 x 2.3mm 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(2500個)
399,800 税込439,780
7日以内出荷




仕様アンプタイプ:Class-D●出力タイプ:モノリシック●最大電力:500W●アンプのクラス:クラスD●電源タイプ:シングル●1チップ当たりのチャンネル数:1●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:16●入力信号タイプ:シングル●出力信号タイプ:シングル●標準ゲインバンド幅積:9MHz●最小CMRR:60dB●寸法:9.98 x 4 x 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(2500個)
599,800 税込659,780
7日以内出荷


仕様最大連続 順方向電流:130mA 、 1チップ当たりのエレメント数:2 、 ピーク逆繰返し電圧:4V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOT-23 、 ダイオードテクノロジー:ショットキー 、 ピン数:3 、 最大順方向降下電圧:600mV 、 長さ:2.9mm 、 幅:1.3mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 ショットキーバリアダイオード、Infineon RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
35,980 税込39,578
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1.8 W●シリーズ:SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
45,980 税込50,578
7日以内出荷



仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:10.8 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷