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10ページ目: ON SEMICONDUCTORのすべての商品
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥339税込￥3731袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 1 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥469税込￥5161袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 81トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥339税込￥3731袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 4 A， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR￥1,798税込￥1,9781袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥329税込￥3621袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応ON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥369税込￥4061袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 V小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 30 V， 500 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥399税込￥4391袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 5000最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA動作温度 Min = -55 ℃ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応ON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 600 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥319税込￥3511袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥389税込￥4281袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 V小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor フォトトランジスタ， 赤外線， スルーホール実装 PDIP
ON SEMICONDUCTOR￥569税込￥6261袋(5個)7日以内出荷仕様検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 100μs標準上昇時間 = 5μsチャンネル数 = 1最大暗電流 = 100nA極性 = NPNピン数 = 6実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = PDIP寸法 = 8.89 x 6.6 x 5.08mmコレクター電流 = 50mA幅 = 6.6mmオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor MOC3041M， トライアック出力， 6-Pin
ON SEMICONDUCTOR￥729税込￥8021袋(5個)7日以内出荷仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac論理出力 = Yオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 74HCシリーズ 8ステージ シフトレジスタ， シリアル/パラレル 単方向， 2～6 V
ON SEMICONDUCTOR￥339税込￥3731袋(5個)7日以内出荷仕様パッケージタイプ = SOICロジック機能 = シフトレジスターステージ数 = 8ロジックファミリー = 74HC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル/パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 6 V寸法 = 10 x 4 x 1.5mm長さ = 10mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 74 VHCシリーズ ヘキサ インバータ(NOTゲート)， 8mA， 2～5.5 V， 14-Pin TSSOP
ON SEMICONDUCTOR￥319税込￥3511袋(5個)翌々日出荷仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18.5ns高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = VHC寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm幅 = 4.4mm74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor LEDドライバ IC， 90～160mA， 2.7W， PWM 調光 3-Pin
ON SEMICONDUCTOR￥299税込￥3291袋(2個)7日以内出荷仕様出力電流 = 90 → 160mA入力電圧 = 45 V減光操作 = PWM最大出力パワー = 2.7Wアプリケーション = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティングピン数 = 3最大出力電圧 = 7.5V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 70 mA， 223-Pin SOT
ON SEMICONDUCTOR￥409税込￥4501袋(5個)7日以内出荷仕様最大供給電流 = 70 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOTピン数 = 223先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 25 mA， 123-Pin SOD
ON SEMICONDUCTOR￥219税込￥2411袋(10個)7日以内出荷仕様最大供給電流 = 25 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 20 mA， 123-Pin SOD
ON SEMICONDUCTOR￥309税込￥3401袋(10個)7日以内出荷仕様最大供給電流 = 20 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， 整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR￥369税込￥4061袋(50個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， 整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR￥499税込￥5491袋(50個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 5μA小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor デュアル NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 6-Pin SOT-363 (SC-88)
ON SEMICONDUCTOR￥439税込￥4831袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， スイッチングダイオード， 200mA， 75V， 2-Pin SOD-323
ON SEMICONDUCTOR￥329税込￥3621袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 75V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 1.7mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 6ns動作温度 Min = -55 ℃メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 12 V 固定出力， 3-Pin DPAK
ON SEMICONDUCTOR￥169税込￥1861袋(2個)7日以内出荷仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = DPAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 3.4mAMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7812リニア電圧レギュレータは、固定電圧調整用の製品です。 7812シリーズレギュレータICの電流出力は1 Aを超えます。 外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。 ON Semiconductor正電圧リニアレギュレータは、さまざまな機能を備え、電子産業で使用される傾向があります。 主な用途には、ローカルオンカードレギュレーション、電源、配電システムなどがあります。. 出力電圧: 12 V、許容差: 4 % 内部の熱的過負荷保護 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor シングル8:1 マルチプレクサ 5～15V， 16-Pin SOIC
ON SEMICONDUCTOR￥559税込￥6151袋(5個)7日以内出荷仕様構成 = シングル8:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = シングル入力信号タイプ = シングエンド出力信号タイプ = シングルエンド動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 1最大パワー消費 = 500 mW4000シリーズエンコーダ / デコーダ、マルチプレクサ / デマルチプレクサ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 2 A， 3-Pin TO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥489税込￥5381袋(2個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 2チャンネル 単方向 TVSダイオード， 24W， 8.7V， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥469税込￥5161袋(25個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃自動車規格 = AEC-Q101TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 5.6V， 500 mW， 2-Pin SMA
ON SEMICONDUCTOR￥449税込￥4941袋(10個)7日以内出荷仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 66.9mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.32mm寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 3 A， 3 ピン パッケージTO-220F QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 39000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22.5 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 19 A， 3 ピン パッケージTO-220F QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR￥1,898税込￥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W標準ターンオフ遅延時間 = 135 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 17 A， 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR￥2,398税込￥2,6381袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 79 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 VQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 150 V， 5 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥2,898税込￥3,1881袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準ターンオフ遅延時間 = 27 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥699税込￥7691個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor FOD817A3SD， トランジスタ出力， 4-Pin
ON SEMICONDUCTOR￥68税込￥751個7日以内出荷仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor MOCD207M， トランジスタ出力， 8-Pin
ON SEMICONDUCTOR￥569税込￥6261袋(5個)翌々日出荷仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.55Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 1.6μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 200%標準降下時間 = 2.2μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor MOCD223M， ダーリントン出力， 8-Pin
ON SEMICONDUCTOR￥859税込￥9451袋(5個)7日以内出荷仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 8μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 110μsオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 800 mA， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥949税込￥1,0441袋(20個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 350 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.93 x 2.92 x 1.3mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥689税込￥7581袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA動作温度 Min = -55 ℃ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥699税込￥7691袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥359税込￥3951袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥319税込￥3511袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥359税込￥3951袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
