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バッファ，ラインドライバ ACシリーズ， 3ステート非反転， 20-Pin SOICWON SEMICONDUCTOR

￥3,698税込￥4,068

1セット(36個)

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RoHS指令(10物質対応)対応

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バッファ，ラインドライバ 74LVTシリーズ， 3ステート非反転， 2.7～3.6V， 20-Pin TSSOPON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ロジックファミリー：74LVT●ロジック機能：バッファ，ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数：8●出力タイプ：3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：20●高レベル出力電流 Max：-32mA●低レベル出力電流 Max：64mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：4.2ns●寸法：6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ：0.9mm●動作供給電圧 Min：2.7 V●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTLRoHS指令(10物質対応)対応

バッファ，ラインドライバ 74HCシリーズ， 3ステート反転， 2 to 6V， 20-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥869税込￥956

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様ロジックファミリー：74HC 、ロジック機能：バッファ、 1チップ当たりのチャンネル数：8 、入力タイプ：LS-TTL 、出力タイプ：3ステート、極性：反転、実装タイプ：表面実装、パッケージタイプ：SOIC 、ピン数：20 、高レベル出力電流 Max：7.8mA 、低レベル出力電流 Max：7.8mA 、最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：208ns 、寸法：13.005 x 7.595 x 2.34mm 、高さ：2.34mm 、動作温度 Max： +85 ℃ 、 74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

バッファ 74ACTシリーズ， 3ステート非反転， 4.5～5.5V， 20-Pin TSSOPON SEMICONDUCTOR

￥11,980税込￥13,178

1セット(73個)

7日以内出荷

仕様ロジックファミリー：74ACT●ロジック機能：バッファ，ドライバ●入力タイプ：シングルエンド●出力タイプ：3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：20●高レベル出力電流 Max：24mA●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：12.5 ns @ 50 pF●寸法：6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ：0.9mm●動作供給電圧 Min：4.5 V●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応

Small Signal Fast DiodeON SEMICONDUCTOR

￥19,980税込￥21,978

1セット(3000個)

7日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor HCPL3700 AC， DC入力，ダーリントン出力， 8-PinON SEMICONDUCTOR

￥5,498税込￥6,048

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトダーリントン最大順方向電圧 = 0.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC， DC標準上昇時間 = 45μs最大入力電流 = 4.4 mA標準降下時間 = 0.5μs特殊機能 = ロジックレベル互換性、低電圧検出、プログラマブル検出電圧オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 8A， 600V， 4-Pin GBU 4LON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBU 4Lピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 18.8mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造RoHS指令(10物質対応)対応

High Conductance Low Leakage Diode DO-35ON SEMICONDUCTOR

￥929税込￥1,022

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AHダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV長さ = 3.6mm直径 = 1.5mmパワー消費 = 500mW小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 250 V， 17 A， 3-Pin TO-264ON SEMICONDUCTOR

￥4,198税込￥4,618

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 17 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 55トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 VパワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル IGBT， 650 V， 120 A， 3-Pin TO-3PN シングルON SEMICONDUCTOR

￥989税込￥1,088

1個

7日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 120 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 600 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.8mm幅 = 5mm高さ = 20.1mm寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm動作温度 Max = +175 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220FON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 22 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 8 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.5 W高さ = 0.94mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 167 A， 3 ピンパッケージTO-247ON SEMICONDUCTOR

￥1,198税込￥1,318

1個

欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 167 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.9 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 429 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 90 V， 30 A， 2-Pin TO-204AAON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 90 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 Vピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥9,398税込￥10,338

1袋(1000個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor デュアル MOSFETパワードライバ， -5 A， 5 A， 4.5～18 V， 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様ドライバ数 = 2動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 18 Vトポロジー = ローサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = -5 A， 5 A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 8入力ロジック互換性 = TTL高/低サイド依存性 = 独立、同期幅 = 3.9mmローサイドMOSFETドライバ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor MOSFETパワードライバ， 10.6 A， 11.4 A， 4.5～18 V， 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様ドライバ数 = 1動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 18 Vトポロジー = ローサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 10.6 A， 11.4 A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 8ブリッジタイプ = フルブリッジ入力ロジック互換性 = TTL高/低サイド依存性 = シンクロナス幅 = 3.9mmローサイドMOSFETドライバ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor MOSFETパワードライバ， 10.6 A， 11.4 A， 4.5～18 V， 8-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様ドライバ数 = 1動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 18 Vトポロジー = ローサイド実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 10.6 A， 11.4 A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 8ブリッジタイプ = フルブリッジ入力ロジック互換性 = CMOS高/低サイド依存性 = シンクロナス幅 = 3.9mmローサイドMOSFETドライバ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 250 V， 6.2 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

1枚(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 570 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 56 W標準ターンオン遅延時間 = 10 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor H11L1SVM，ロジックゲート出力， 6-PinON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 7500 V ac標準降下時間 = 0.1μsオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220FON SEMICONDUCTOR

￥2,498税込￥2,748

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1000 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor クワッド NPN トランジスタ， 40 V， 500mA， 16-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥2,298税込￥2,528

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 161チップ当たりのエレメント数 = 4最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 Vデュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 12 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)

￥1,498税込￥1,648

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 100 W最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 6A， 200V， 4-Pin GBUON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1本(20個)

7日以内出荷

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 22.3mm寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,198税込￥2,418

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 80 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,798税込￥1,978

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 600 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)ON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 160 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 900 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 30 V， 2 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 120 V， 50 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥3,698税込￥4,068

1袋(200個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 150トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ， 15 V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥3,500税込￥3,850

1枚(50個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 → -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor MOSFET， 30 V， 4.5 A、6.4 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.5 A、6.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 39 mΩ， 80 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.6 W、2 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 500 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W動作温度 Max = +150 ℃UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,898税込￥2,088

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor フォトトランジスタ，表面実装ON SEMICONDUCTOR

￥1,798税込￥1,978

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様チャンネル数 = 1最大光電流 = 1100μA最大暗電流 = 100nA極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 1.7 x 0.8 x 0.6mm幅 = 0.8mmチップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答幅広い照明範囲、優れた出力線形性小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm長さ = 5.2mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲートオンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm長さ = 4.58mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 900mA， 1.2～37 V 可変出力， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

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仕様出力電圧 = 1.2 → 37 V出力電流 Max = 900mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 可変実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正幅 = 4.82mmLM317リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の LM317 シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。 LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応

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