8ページ目: ON SEMICONDUCTORのすべての商品

584件中 281～320件

商品の詳細情報を参照する場合は
詳細表示が便利です

並び替え

おすすめ順

単価の安い順

単価の高い順

レビュー評価の高い順

レビューの多い順

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 800 V， 3 A， 3-Pin TO-220F
ON SEMICONDUCTOR
￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 15 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 12 A， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)
￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 100 W最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 6A， 200V， 4-Pin GBU
ON SEMICONDUCTOR
￥2,998税込￥3,298
1本(20個)
8日以内出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 22.3mm寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 500mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥2,198税込￥2,418
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 80 V， 500mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥2,698税込￥2,968
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥1,698税込￥1,868
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 600 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
ON SEMICONDUCTOR
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 160 V， 1 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,500税込￥3,850
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 900 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 30 V， 2 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,298税込￥3,628
1袋(50個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 120 V， 50 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,998税込￥4,398
1袋(200個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 150トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ， 15 V， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR
￥3,398税込￥3,738
1枚(50個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 → -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor MOSFET， 20 V， 5 A、6.5 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥1,198税込￥1,318
1枚(10個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 5 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ、90 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V、-10 V、+10 V、+12 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.6 W、2 W標準ターンオン遅延時間 = 8 ns、16 nsPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET， 500 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220F UniFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W動作温度 Max = +150 ℃UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥2,998税込￥3,298
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor フォトトランジスタ，表面実装
ON SEMICONDUCTOR
￥1,798税込￥1,978
1袋(20個)
8日以内出荷
仕様チャンネル数 = 1最大光電流 = 1100μA最大暗電流 = 100nA極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 1.7 x 0.8 x 0.6mm幅 = 0.8mmチップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答幅広い照明範囲、優れた出力線形性小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,398税込￥3,738
1袋(50個)
8日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥1,998税込￥2,198
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲートオンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm長さ = 4.58mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 350 V， 500mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥2,198税込￥2,418
1袋(100個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 350 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,698税込￥4,068
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -50 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，整流ダイオード， 500mA， 100V， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥2,298税込￥2,528
1袋(500個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 4.56mmピーク逆回復時間 = 4ns直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，整流ダイオード， 500mA， 200V， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥2,998税込￥3,298
1袋(200個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 4.56mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトダイオード ON Semiconductor 20 ° Si スルーホール実装 5mm package
ON SEMICONDUCTOR
￥2,198税込￥2,418
1袋(25個)
8日以内出荷
仕様ピーク感度波長 = 880nmパッケージタイプ = T-1 3/4実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 700nm最大検出波長 = 1100nm高さ = 8.77mm直径 = 6.1mmQSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ高感度波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mmRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 18V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥889税込￥978
1袋(200個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7mA最大ツェナーインピーダンス = 21Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 15V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥789税込￥868
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 13V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥799税込￥879
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 9.5mA最大ツェナーインピーダンス = 13Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 12V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥1,098税込￥1,208
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 10V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥919税込￥1,011
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 6.2V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥979税込￥1,077
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 3.9V， 500 mW， 2-Pin DO-35
ON SEMICONDUCTOR
￥829税込￥912
1袋(200個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 23Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 16V， 1 W， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥929税込￥1,022
1袋(100個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 15V， 1 W， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥929税込￥1,022
1袋(100個)
欠品中
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥949税込￥1,044
1袋(100個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ツェナーダイオード， 6.8V， 1 W， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥789税込￥868
1袋(100個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 37mA最大ツェナーインピーダンス = 3.5Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR
￥2,798税込￥3,078
1袋(100個)
8日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 150ns直径 = 2.72mm動作温度 Max = +175 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥2,898税込￥3,188
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -800 V小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,500税込￥3,850
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR
￥3,398税込￥3,738
1袋(200個)
8日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor CMOSシリーズ電圧レベルトランスレータ， 20μA， 1.5～5.5 V， 8-Pin SOIC
ON SEMICONDUCTOR
￥4,598税込￥5,058
1袋(20個)
3日以内出荷
仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = 電圧レベルトランスレータ伝送 = 電圧論理信号高レベル出力電流 Max = 20μA低レベル出力電流 Max = 20μA出力タイプ = オープンドレイン最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 1000 ns@ 15 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 5mm動作供給電圧 Min = 1.5 VNLSVシリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor製のNLSVシリーズのデバイスは、デュアル電源非反転レベルトランスレータです。この設定可能な電圧レベルトランスレータは、VCCA / VCCB電源レールを管理できる入力ポートと出力ポートを備えています。 NLSVシリーズでは、入力ポートから出力ポートへの低電圧変換が可能です。RoHS指令(10物質対応)対応
Diode， Fairchild， FDH300ATR
ON SEMICONDUCTOR
￥1,298税込￥1,428
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 125V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.3mm直径 = 1.5mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor LDOレギュレータ 2.2A， 5 V 固定出力，最大20 V入力， 3-Pin DPAK
ON SEMICONDUCTOR
￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
8日以内出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = DPAK出力電流 Max = 2.2A実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 20 Vピン数 = 3極性 = 正静止電流 = 10mA精度 = ±1%動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃基準電圧 = 1.27V低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、550 → 800 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応