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ON Semiconductor LEDドライバ IC， 90～160mA， 2.7W， PWM 調光 3-PinON SEMICONDUCTOR

￥439税込￥483

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様出力電流 = 90 → 160mA入力電圧 = 45 V減光操作 = PWM最大出力パワー = 2.7Wアプリケーション = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティングピン数 = 3最大出力電圧 = 7.5V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 70 mA， 223-Pin SOTON SEMICONDUCTOR

￥429税込￥472

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様最大供給電流 = 70 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOTピン数 = 223先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 25 mA， 123-Pin SODON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様最大供給電流 = 25 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR

￥479税込￥527

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 5μA小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥299税込￥329

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor デュアル NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 6-Pin SOT-363 (SC-88)ON SEMICONDUCTOR

￥459税込￥505

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR

￥199税込￥219

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 2.69mm幅 = 1.6mm高さ = 1.12mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor シングル8:1 マルチプレクサ 5～15V， 16-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥579税込￥637

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様構成 = シングル8:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = シングル入力信号タイプ = シングエンド出力信号タイプ = シングルエンド動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 1最大パワー消費 = 500 mW4000シリーズエンコーダ / デコーダ、マルチプレクサ / デマルチプレクサ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP ダーリントンペア， 120 V， 30 A， 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR

￥2,498税込￥2,748

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 2 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥369税込￥406

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 2チャンネル単方向 TVSダイオード， 24W， 8.7V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥209税込￥230

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃自動車規格 = AEC-Q101TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適低漏洩RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 3 A， 3 ピンパッケージTO-220F QFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,398税込￥1,538

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 39000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22.5 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 19 A， 3 ピンパッケージTO-220F QFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W標準ターンオフ遅延時間 = 135 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 17 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 79 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 VQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥2,598税込￥2,858

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準ターンオフ遅延時間 = 27 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor FOD817A3SD，トランジスタ出力， 4-PinON SEMICONDUCTOR

￥71税込￥78

1個

7日以内出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor MOCD207M，トランジスタ出力， 8-PinON SEMICONDUCTOR

￥549税込￥604

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.55Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 1.6μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 200%標準降下時間 = 2.2μsオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

フォトカプラ ON Semiconductor MOCD223M，ダーリントン出力， 8-PinON SEMICONDUCTOR

￥889税込￥978

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ダーリントン最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 8μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 1000%標準降下時間 = 110μsオプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 800 mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥849税込￥934

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 350 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.93 x 2.92 x 1.3mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥589税込￥648

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA動作温度 Min = -55 ℃ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP ダーリントンペア， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥579税込￥637

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA動作温度 Min = -55 ℃ダーリントントランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥599税込￥659

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 280 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥219税込￥241

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.3 A， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥489税込￥538

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 120 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥949税込￥1,044

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 120 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW高さ = 0.93mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 1.7 A， 3+Tab ピンパッケージSOT-223 QFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥769税込￥846

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ素材 = SiQFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 6.6 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)ON SEMICONDUCTOR

￥779税込￥857

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 20 ns自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 9 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) QFET シリーズON SEMICONDUCTOR

￥999税込￥1,099

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW長さ = 6.6mmQFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥359税込￥395

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ素材 = SiPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor デュアル NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 6.5 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR

￥619税込￥681

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 15 nsPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 5.3 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥999税込￥1,099

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7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 11.6 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥889税込￥978

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor N+PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 7.3 A、8.6 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR

￥1,098税込￥1,208

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 20 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW長さ = 5mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 11 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥579税込￥637

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor デュアル PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 6.9 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR

￥1,198税込￥1,318

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW標準ターンオフ遅延時間 = 68 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor デュアル PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 7 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR

￥969税込￥1,066

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7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 40 V， 8.2 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR

￥799税込￥879

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7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 50 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応

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