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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 100mA。最大ツェナーインピーダンス = 2Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.65mm。標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZT52Cシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-523

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.7mm。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 21Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SM。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ， 330 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = フルブリッジ。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 50mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 19Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxシリーズ、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3。高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4148シリーズ、Diodes Inc. ダイオード素子 x 5及びコモンカソード 低順方向電圧降下

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V。最大パワー消費 = 1.08 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 270 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。高さ = 4.01mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

アンプタイプ = 低電圧。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 5。標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準スルーレート = 1V/μs。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 1.35mm。オペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 720 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

論理回路 = 74LVC。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = プッシュプル。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 4.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

最大順方向電流 = 5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 40pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 280 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。高さ = 4.01mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 260 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V。最大パワー消費 = 750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

アンプタイプ = ローノイズ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準スルーレート = 1V/μs。動作温度 Min = -40 ℃。レール to レール = レール to レール出力。幅 = 4.5mm。オペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 0.4 → 3.7mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

最大順方向電流 = 250mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 150V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOP。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 2.5 → 5.5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準スルーレート = 1V/μs。動作温度 Min = -40 ℃。レール to レール = レール to レール出力。幅 = 3.95mm。オペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SM。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = フルブリッジ。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.6mm。補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-523。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.35mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOP。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±16V。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 3.95mm。オペアンプ、最大供給電圧36 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 230 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.77mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 7.5μA。寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、DDZxxxxシリーズ、Diodes Inc. 精密ツェナーダイオード(500 mW) ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc