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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.35 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

論理回路 = 74AHCTロジックタイプ = バッファ， ドライバチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

出力電流 = 1.25AAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-25ピン数 = 5出力電圧 Max = 65V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.3A入力電圧 = 6 → 36 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = LED照明パッケージタイプ = MSOPピン数 = 8出力電圧 Max = 36V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1A中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4148シリーズ、Diodes Inc. ダイオード素子 x 5及びコモンカソード 低順方向電圧降下

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA出力電圧 Min = 1.214 V出力電圧 Max = 1.226 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 12mAピン数 = 3ロードレギュレーション = 8 mV寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

最大順方向電流 = 215mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 85Vパッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = PowerDI 123最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 2最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = ESDサプレッサツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 480Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm標準電圧温度係数 = 0.005%/℃ツェナーダイオード300 mW、AZ23Cシリーズ、Diodes Inc

最大順方向電流 = 250mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 150Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.4mm高さ = 1.1mm寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

出力電流 = 1A入力電圧 = 8 → 30 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = DC 電圧， PWM最大出力パワー = 3W用途 = LED照明パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5定格電流 = 0 → 1000mA中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 18mA入力電圧 = 5 → 65 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = 自動車用照明パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16出力電圧 Max = 65V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 300mA中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.7mm幅 = 0.85mm高さ = 0.8mm寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

公称電圧 = 4.096Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA出力電圧 Min = 4.05 V出力電圧 Max = 4.14 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm4.096 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 12mA出力電圧 Min = 1.213 V出力電圧 Max = 1.237 Vピン数 = 3ロードレギュレーション = 10 mV寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm高さ = 1.02mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 2.475 V出力電圧 Max = 20 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 固定立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA出力電圧 Min = 1.196 V出力電圧 Max = 1.244 Vピン数 = 3ロードレギュレーション = 10 mV寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm高さ = 1.02mm1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

電圧管理タイプ = マイクロプロセッサリセットモニタ管理数 = 1出力ドライバ = アクティブ ロー， プッシュプル実装タイプ = 表面実装msパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm最大リセット閾値電圧 = 4.72V動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Min = -40 ℃Vマイクロプロセッサ監視 / リセット回路、Diodes Inc

センサータイプ = ホール効果センサ実装タイプ = 表面実装マグネットタイプ = オムニポーラ動作供給電圧 Max = 5.5 V動作供給電圧 Min = 2.5 Vパッケージタイプ = SC-59ピン数 = 3動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃ホール効果スイッチ及びラッチ、Diodes Inc

出力電流 = 1mA入力電圧 = 7 → 30 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 1Wパッケージタイプ = TSOT-23-5ピン数 = 5出力電圧 Max = 30V出力電圧 Min = -0.3V定格電流 = 1.25A電力消失 = 1W自動車規格 = AEC-Q100中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2.1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 80， 60トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 500トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 600 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 175 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 80 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 806 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc