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論理回路 = ACロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = TTL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20セット/リセット = マスターリセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm幅 = 7.6mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = HCロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = Dタイプフリップフロップ出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 225 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mmMM74HC74A は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、同等の LS-TTL 部品と同様の動作速度を実現します。標準的な CMOS 集積回路で高いノイズ耐性と低電力消費を Ability で、 10 の LS-TTL 負荷を駆動します。このフリップフロップは、独立したデータ、プリセット、クリア、クロック入力、及び Q / Q # 出力を備えています。データ入力に存在するロジックレベルは、クロックパルスの立ち上がり遷移中に出力に転送されます。プリセットとクリアは、クロックに依存せず、適切な入力で低レベルに実現されます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 20 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 40 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ピーク波長 = 890nmパッケージタイプ = T-1 3/4放射強度 = 70mW/sr実装タイプ = スルーホール実装指向半値角 = 16°LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mmLED材質 = AlGaAs最大供給電圧 = 1.7V

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8.1V最小ブレークダウン電圧 = 5.5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UDFNピン数 = 14最大ピークパルス電流 = 16AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 8動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 5.5 x 1.5 x 0.5mm自動車規格 = AEC-Q101pFESD8008 は、 4 つの高速差動ペアを保護できるようになっています。超低静電容量及び低 ESD クランプ電圧により、電圧の影響を受けやすい高速データラインの保護に最適なソリューションになります。フロースルースタイルパッケージにより、基板レイアウトが簡単で、トレース長を揃えて高速ラインのインピーダンスを一定にすることができます。最大静電容量： 0.35 pF 深型スナップバック SCR 技術 最大6 Gbpsのデータ転送速度に対応 ESD イベント用の超低クランプ電圧 コンピューティング LCD TV 用途 V-by-One HS LVDS DisplayPort

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 104 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

ピーク波長 = 880nmパッケージタイプ = 側方監視放射強度 = 16mW/sr指向半値角 = 50°LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 4.44 x 5.08 x 2.54mmシリーズ = QEE12LED材質 = AiGaAs最大供給電圧 = 1.7V

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃V

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm高さ = 2.39mm拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 6.1mm動作温度 Min = -55 ℃mm拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODM

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SMT最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 4.17 kVrmsシリーズ = MOC

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 7μs標準上昇時間 = 7μsチャンネル数 = 1最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = ±12°ピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = T-1 3/4寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mmコレクター電流 = 39mA感度スペクトルレンジ = 880 nmnmコレクタエミッタ電圧 = 30VQSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 Vパッケージタイプ = SOT-93実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -25 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -260 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 260 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 250 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 39.37 x 26.67 x 8.51mmMJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA ： 3A 、 80V 、 1 秒

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 260 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 260 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.69 Wピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmこの小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -30 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V dcパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 kHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm15 A 、 80 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。2N6487 、 2N6488 ( NPN )、及び 2N6490 、 2N6491 ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。DC 電流ゲインは 15 A に指定 --hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC 、 hFE = 5.0 (最小) @ IC = 15 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 -- VCEO ( sus ) = 60 V dc (最小) - 2N6487 、 2N6490 、 VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) - 2N6488 、 2N6491 高電流ゲイン -- 帯域幅積フィート = 5.0 MHz (最小) @ IC = 1.0 ADC TO-220AB コンパクトパッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = D2PAK実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 158 Wピン数 = 2 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = TSOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.6 Wピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

パッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mWピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmパワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています