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実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングルピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 440mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = ケース 267-05最大連続 順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 800Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆回復時間 = 100ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70Aスイッチング電源、インバータ、フリーホイーリングダイオードとして使用するように設計された、超高速「 E 」シリーズは、最先端のデバイスです20 mジュール アバランシェエネルギーを保証 誘導負荷回路のスイッチングにおける電圧トランジェントに対する優れた保護 超高速 75 ナノ秒の回復時間 動作ジャンクション温度： 175 ° C 低順方向電圧 低漏洩電流 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 逆電圧：最大 1000 V 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.1 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) 極性：極性バンドでカソードを表示 マーキング： MUR480E 、 MUR4100E

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = ケース 59-10最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 20Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25AON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSN ( 0402 )最大連続 順方向電流 = 500mAダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = -400mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 10Aこのショットキーダイオードは、低順方向電圧降下と低漏洩電流向けに最適化されており、基板スペースを節約するチップスケールパッケージ( CSP )に収められています。熱抵抗が低いため、設計者は効率を向上させ、省スペース要件を満たすという厳しい課題に対応できます。低順方向電圧降下( VF ) 利点 効率性の向上 最終製品 ポータブル製品 / 消費者向け製品 用途 逆電圧及び逆電流の保護

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AC最大連続 順方向電流 = 7.5Aピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA出力電圧 = 50 mV実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8出力タイプ = 固定最大スイッチング周波数 = 100 kHzスイッチングレギュレータ = あり寸法 = 5 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃mm幅 = 4mm低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123FL最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5.5Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFN最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆回復時間 = 35nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100AUltrafast 整流器は、スイッチング電源、インバータ、還流ダイオードとして使用するように設計されています。超高速 35 ナノ秒回復時間 動作ジャンクション温度： 175 C 一般的な TO-220 パッケージ @1/8 インチ 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 600 V までの高電圧に対応 低漏洩電流仕様 @ 150 C ケース温度 現在のディレーティングは、ケースと周囲温度の両方で行われます 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.9 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) プラスチックチューブ 1 個につき 50 個出荷 マーキング： UH860

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC-Wピン数 = 4ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 11.23 x 29mm幅 = 29mm

ブリッジタイプ = 単相Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC-Wピン数 = 4ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 11.23 x 29mm幅 = 29mm

ピーク平均順方向電流 = 15Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 11.23 x 29mm高さ = 11.23mm

論理回路 = HCTロジックタイプ = バッファ回路数 = 9入力タイプ = CMOS出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 6mA低レベル出力電流 Max = 6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆回復時間 = 4ns直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ロジックタイプ = マルチプレクサ実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 4パッケージタイプ = SOIC-NB の略ピン数 = 16論理回路 = ECL入力タイプ = シングルエンド動作供給電圧 Max = -5.7 V ( NECL )、 5.7 V ( PECL最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 710ps動作供給電圧 Min = -4.2 V ( NECL )、 4.2 V ( PECL )幅 = 4mm4 ： 1 マルチプレクサ又は 2 ： 1 マルチプレクサとして便利 シングルエンド動作用 VBB 出力 PECL モード動作範囲： VCC = 4.2 → 5.7 V ( VEE = 0 V NECL モード動作範囲： VCC = 0 V ( VEE = -4.2 → -5.7 V D および SEL の入力プルダウン抵抗内蔵。 鉛フリーパッケージを用意

ピン数 = 14実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃MC14016B クワッド双方向スイッチは、単一のモノリシック構造の MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスで構成されています。各 MC14016B は、デジタルまたはアナログ信号を制御できる 4 つの独立したスイッチで構成されています。このクワッド双方向スイッチは、信号ゲート、チョッパ、変調器、復調器、 CMOS ロジックの実装に使用されます。すべての入力でダイオードを保護します 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/qルート(サイクル)、 f> = 1.0 kHz (標準) CD4016B 、 CD4066B のピン交換(注意：転送特性設計の改善により CD4016 よりも寄生カップリング静電容量が増大) 低 RON の場合は、 HC4016 高速 CMOS デバイスまたは MC14066B を使用します このデバイスには、 ESD 保護機能のない入力と出力があります。静電気防止対策を講じる必要があります。

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 500 Ω @ 0.25 mA， 6 Ω @ 20 mA最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = 0.058%/℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4.5mmMC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = ACT動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4mmAC/ACT08 には、 4 つの 2 入力 AND ゲートがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm自動車規格 = AEC-Q100高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ： HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 470 Ω @ 1 mA， 75 Ω @ 5 mA最大逆漏れ電流 = 2.7μA寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃V

標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30 Ω， 1200 Ω最大逆漏れ電流 = 100μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃V便利な表面実装プラスチック SOD-123 パッケージに収められた 3 つのツェナーダイオード完全シリーズ。これらのデバイスは、リードレス 34 パッケージスタイルの便利な代替品となります。FR-4 又は FR-5 ボードの定格 500 mW 広いツェナー逆電圧範囲： 2.4 → 110 V 最適な自動基板アセンブリ用のパッケージです 高密度用途向けの小型パッケージサイズ 汎用、中電流 人体モデルごとにクラス 3 の ESD 定格( 16 kV 超 ケース：無骨、転写成型、熱硬化性プラスチックケース 仕上げ：耐腐食性仕上げで、簡単にはんだ付けできます はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 極性：カソードは極性バンドで表示 鉛フリーパッケージを用意 PPAP対応 品番の先頭が「 SZ 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件を必要とする車載用途やその他の用途向けです

標準ツェナー電圧 = 39V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 3.2mA最大ツェナーインピーダンス = 800Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃V

メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8 k x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 8kSPIシリアルEEPROM、ON Semiconductor

メモリサイズ = 16kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 2 k x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mm自動車規格 = AEC-Q100年CAT25160 は、 2048 x 8 ビットとして内部で構成された EEPROM シリアル 16 Kb SPI デバイスです。32 バイトのページ書き込みバッファを備え、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )プロトコルをサポートしています。このデバイスは、チップ選択( CS )入力によって有効になります。さらに、必要なバス信号は、クロック入力( SCK )、データ入力( SI )、データ出力( SO )の各ラインです。HOLD 入力は、 CAT25160 デバイスとのあらゆるシリアル通信を一時停止するために使用できます。これらのデバイスは、部分的なアレイ保護と完全なアレイ保護を含む、ソフトウェアとハードウェアの書き込み保護を備えています。10 MHz SPI 互換 供給電圧範囲： 1.8 → 5.5 V SPI モード( 0 、 0 、 1 ) 32 バイトのページ書き込みバッファ 自己タイミング書き込みサイクル ハードウェアとソフトウェアの保護 ブロック書き込み保護 - 保護 1/4 、 1/2 、又はすべての EEPROM アレイ 低電力CMOS技術 プログラム / 消去回数： 1 、 000 、 000 回 データ保持期間： 100 年間 工業用及び拡張温度範囲 8 リード PDIP 、 SOIC 、 TSSOP 、及び 8 パッド TDFN 、 UDFN パッケージです 用途 自動車システム 通信システム コンピュータシステム コンシューマシステム 産業システム

レギュレータタイプ = リニア電圧mA出力電圧 = -15 Vラインレギュレーション = 80 mVロードレギュレーション = 240 mV極性 = 負パッケージタイプ = TO-220ピン数 = 3出力タイプ = 固定寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm動作温度 Min = 0 ℃mm幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 32kSPIシリアルEEPROM、ON Semiconductor

メモリサイズ = 4kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 512 x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.7 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 512ns

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 8ロジックタイプ = トランスレータmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -3mA伝播遅延テスト条件 = 20pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.1 ns @ 20 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3.6 V動作温度 Min = -40 ℃MC100EPT26 は、 1 ： 2 ファンアウト差動 LVPECL-LVTTL トランスレータです。LVPECL (正の ECL )レベルは +3.3V のみが使用されており、アースが必要です。EPT26 は、小型 8 リード SOIC パッケージと 1 ： 2 ファンアウト設計で、密にパックされた基板で信号の低スキュー複製を必要とする用途に最適です。VBB 出力により、 EPT26 をシングルエンド入力モードで使用することができます。このモードでは、 VBB 出力は非反転バッファの場合は D0bar 入力に、反転バッファの場合は D0 入力に結び付けられます。使用する場合は、 0.01 uF のコンデンサを使用して VBB ピンをアースにバイパスする必要があります。標準伝搬遅延： 1.4 ns 最大周波数>： 275 MHz (標準 100 シリーズは温度補償付きです 動作範囲： VCC = 3.0 → 3.6 V ( GND = 0 V 入力のデフォルト状態を開きます 入力の安全クランプ 24 mA TTL 出力 Q 出力は、入力がオープンまたは VEE VBB 出力の場合、デフォルトで LOW になります

論理回路 = VHC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 8mA高レベル出力電流 Max = -8mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DQFNピン数 = 16寸法 = 3.5 x 2.5 x 0.75mm長さ = 3.5mm幅 = 2.5mm高さ = 0.75mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.1 V動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V自動車規格 = AEC-Q100

論理回路 = ECL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC-NB の略ピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -3mA伝送 = ECL-LVTTL伝播遅延テスト条件 = 20pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP出力タイプ = 3ステート寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -55 ℃

論理回路 = ACT実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Min = -40 ℃