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46ページ目: onsemiのすべての商品
onsemi HCシリーズ オクタルDタイプフリップフロップ 表面実装 14-Pin SOIConsemi￥1,198税込￥1,318
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様論理回路：HC寸法(mm)8.75×4×1.5高さ(mm)1.5タイプロジック：D タイプ入力種類シングルエンドピン数(ピン)14出力信号差動トリガー正エッジRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大伝播遅延時間@最大CL225 ns @ 50 pF出力タイプDタイプフリップフロップ
onsemi ツェナーダイオード 6.8V スルーホール 1 Wonsemi￥739税込￥813
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)37最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)3.5
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MOCD217Monsemi￥689税込￥758
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数2機能(特殊機能)厳密に適合する電流伝送率、フィードバック制御回路、汎用スイッチング回路ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs標準降下時間4.7μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)200最大電流変換率(%)100絶縁電圧(V)2500 ac
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY172SR2Monsemi￥879税込￥967
1セット(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間1μs標準降下時間2μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)125絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC548BTAonsemi￥2,898税込￥3,188
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)1
onsemi ロジックゲート， AND， 表面実装， 2-入力， 74onsemi￥339税込￥373
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS●シュミットトリガ入力：なし●論理回路：HCTタイプロジック：AND出力電流(mA)低レベル：(Max)4.8、高レベル：(Max)-4.8ピン数(ピン)14動作温度(℃)-40 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 5 Vエレメント数4ゲートあたりの入力数2
onsemi ロジックゲート， インバータ， 表面実装， 74onsemi￥929税込￥1,022
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様論理回路：AC高さ(mm)1.05タイプロジック：インバータ入力種類TTLピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL9.5 ns @ 50 pFエレメント数6
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 200V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF02Sonsemi￥919税込￥1,011
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流長さ(mm)8.51高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， TIL111Monsemi￥549税込￥604
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間10μs標準降下時間10μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)50絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi 汎用 整流ダイオード， 200mA， 125V スルーホール， 2-Pin DO-204AH シリコンジャンクション 1Vonsemi￥2,798税込￥3,078
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)125ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)400最大連続順方向電流(mA)200
onsemi 整流ダイオード， コモンカソード， 200mA， 30V 表面実装， 3-Pin SOT-323 (SC-70) ショットキーバリア 800mVonsemi￥939税込￥1,033
1箱(100個)
7日以内出荷
仕様メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けにピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)コモンカソード整流方式ショットキーダイオードRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(mV)800ピーク逆繰返し電圧(V)30ピーク非繰返し順方向サージ電流(mA)600ピーク逆回復時間(ns)5最大連続順方向電流(mA)200
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mWonsemi￥659税込￥725
1箱(50個)
7日以内出荷
寸法(mm)1.7×1.3×1ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)±5最大ツェナーインピーダンス(Ω)376
onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 500 mWonsemi￥819税込￥901
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)2最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)19
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， 4N33SMonsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)500絶縁電圧(Vrms)1500最大入力電流(A)3
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥219税込￥241
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。幅(mm)1.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)-65 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)280最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費300 mW
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， MCT2EMonsemi￥1,598税込￥1,758
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2μs標準降下時間1.5μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -600 mA， 2N4403BUonsemi￥2,998税込￥3,298
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-600トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)200
電圧レベルトランスレータ onsemionsemi￥2,598税込￥2,858
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様AC/ACT245 には、 3 ステート出力の非反転双方向バッファが 8 個あり、バス指向の用途を想定しています。電流シンク機能は、 A ポートと B ポートの両方で 24 mA です。送受信( T/R# )入力は、双方向トランシーバを通過するデータフローの方向を決定します。送信(アクティブ HIGH )は A ポートから B ポートへのデータ送信を可能にし、受信(アクティブ LOW )は B ポートから A ポートへのデータ送信を可能にします。出力イネーブル入力を HIGH にすると、 A ポートと B寸法(mm)13×7.6×2.35ピン数(ピン)20動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.51チップ当たりのエレメント数1低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24
onsemi ロジックゲート， インバータ， 表面実装， 74onsemi￥1,498税込￥1,648
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様論理回路：HCT高さ(mm)1.5タイプロジック：インバータ入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)4.8高レベル出力電流(mA)(Max)4.8最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 15 pF
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC549BTAonsemi￥2,998税込￥3,298
1箱(200個)
5日以内出荷から7日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23onsemi￥589税込￥648
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)1.2最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大エミッタ-ベース間電圧(V)10最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン4000
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， 6N137SDMonsemi￥1,698税込￥1,868
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間30ns標準降下時間10ns出力デバイス光電センサ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)200絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3052Monsemi￥729税込￥802
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， 6N137SMonsemi￥1,298税込￥1,428
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間30ns標準降下時間10ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)30絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi スイッチングダイオード， シングル，エレメント数 1onsemi￥169税込￥186
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングルRoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 5 A， BUT11AFTUonsemi￥2,498税込￥2,748
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)450最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)1000トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)5トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン0最大パワー消費40 W
onsemi ロジックゲート， OR， 表面実装， 2-入力， 74onsemi￥819税込￥901
1セット(25個)
5日以内出荷
仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、論理回路：ACTタイプロジック：OR入力種類TTLピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3052TVMonsemi￥849税込￥934
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY173Monsemi￥469税込￥516
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2●最小電流伝送率：1チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MCT9001SDonsemi￥1,198税込￥1,318
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSMT実装タイプ表面実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)5
onsemi 小信号 整流ダイオード， 500mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi￥2,498税込￥2,748
1箱(500個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)500
onsemi フォトトランジスタ， スルーホール実装， 赤外線 4ピン QRD1114onsemi￥1,898税込￥2,088
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様●エミッタコレクタ電圧：5V●コレクター電流：1 (Minimum)mA●最大暗電流：100nA●最大検出波長：940nm●検出スペクトル：赤外線寸法(mm)4.39×6.1×4.65チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージCustom 4L実装タイプスルーホール実装標準上昇時間10μs標準降下時間50μs
onsemi CMOS バッファ 反転， 20ピン SOIConsemi￥3,998税込￥4,398
1セット(36個)
5日以内出荷
仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：CMOSタイプロジック：バッファ入力種類LS-TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性反転動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL190 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， 回路数:8， 74LVT244MTConsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTL●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：74LVT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック：バッファ， ラインドライバインターフェースバッファ&ラインドライバIC出力電流(mA)低レベル：(Max)64、高レベル：(Max)-32ピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6最大伝播遅延時間@最大CL4.2ns出力タイプ3ステート
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -1.5 A， SS8550CBUonsemi￥359税込￥395
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-25最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1.5トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン120， 160最大動作周波数(MHz)200最大パワー消費1 W
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 210 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピンonsemi￥1,098税込￥1,208
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)340チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)210最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi ツェナーダイオード 33V スルーホール 1 Wonsemi￥1,798税込￥1,978
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)7.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)45
onsemi 整流ダイオード， シリーズ， 200mA， 200V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.15Vonsemi￥439税込￥483
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2最大連続順方向電流(mA)200
onsemi PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 8 A， 3-Pin TO-220ABonsemi￥229税込￥252
1個
5日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流：0.3333333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタカットオフ電流(mA)0.05最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)2.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)100トランジスタ構成シングルトランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン200最小動作温度(℃)-65
onsemi CMOS バッファ 非反転， 20ピン TSSOPonsemi￥6,498税込￥7,148
1セット(73個)
5日以内出荷
仕様論理回路：CMOS、74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSタイプロジック：バッファ入力種類LS-TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性非反転動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL190 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート