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  • onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 30 V, 1.2 A, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi PNP ダーリントントランジスタ, 30 V, 1.2 A, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    689税込758
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様ダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)1.2最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大エミッタ-ベース間電圧(V)10最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングルトランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン4000
  • onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -500 mA, 2N6520TA onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -500 mA, 2N6520TA

    onsemi
    1,998税込2,198
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-350最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-350トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-500トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン30最大動作周波数(MHz)200
  • onsemi ロジックゲート, インバータ, 表面実装, 74 onsemi

    onsemi ロジックゲート, インバータ, 表面実装, 74

    onsemi
    919税込1,011
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様●伝播遅延テスト条件:50pF●論理回路:LVXタイプロジック:インバータ入力種類シュミットトリガピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)3.6低レベル出力電流(mA)(Max)4高レベル出力電流(mA)(Max)-4最大伝播遅延時間@最大CL23 ns @ 50 pFエレメント数6シュミットトリガー入力あり
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTA onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1.5 A, SS8050DTA

    onsemi
    399税込439
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)25最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.5トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン120, 160最大パワー消費1 W
  • onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MOCD217R2M onsemi

    onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MOCD217R2M

    onsemi
    769税込846
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:1.3チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs標準降下時間4.7μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)2500ac
  • onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 500 mW onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 500 mW

    onsemi
    789税込868
    1箱(200個)
    7日以内出荷
    仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)8.5最大パワー消費(mW)500最大逆漏れ電流(nA)100ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)16
  • onsemi Pチャンネル JFET, 15 V, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Pチャンネル JFET, 15 V, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    3,898税込4,288
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ゲート-ソース間電圧(V)30IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)-2 to -15最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-30
  • onsemi インバータ インバータ シュミットトリガ 74 onsemi

    onsemi インバータ インバータ シュミットトリガ 74

    onsemi
    309税込340
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、入力タイプ:シュミットトリガ●シュミットトリガ入力:あり●論理回路:AC寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック:インバータ出力電流(mA)低レベル:(Max)24、高レベル:(Max)-24ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)61チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL13.5ns
  • onsemi インバータ インバータ TTL 74 onsemi

    onsemi インバータ インバータ TTL 74

    onsemi
    4,498税込4,948
    1セット(55個)
    7日以内出荷
    仕様論理回路:74ACT、AC/ACT04 には 6 つのインバータがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク: 24 mA ACT04 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています寸法(mm)8.75×4×1.5高さ(mm)1.5タイプロジック:インバータ入力種類TTLピン数(ピン)14動作温度(℃)(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL9 ns @ 50 pF出力タイプシングルエンド
  • onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    onsemi
    579税込637
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大連続ドレイン電流:1.3 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
  • onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mW onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mW

    onsemi
    959税込1,055
    1箱(250個)
    7日以内出荷
    仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)1.91 (Dia.)×4.56ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)-65 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)1600 @ 0.25 mA、 17 @ 20 mA最大パワー消費500 mW
  • onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3063SM onsemi

    onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3063SM

    onsemi
    819税込901
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様入力電流タイプ:DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500
  • onsemi シフト レジスタ VHCシリーズ 8ステージ シフトレジスター, 14-Pin SOP 1 74 onsemi

    onsemi シフト レジスタ VHCシリーズ 8ステージ シフトレジスター, 14-Pin SOP 1 74

    onsemi
    989税込1,088
    1箱(20個)
    7日以内出荷
    仕様74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、リセットタイプ:非シンクロナス、論理回路:VHC寸法(mm)10.2×5.3×1.8タイプロジック:シフトレジスターピン数(ピン)14モード(動作/操作)シリアル to パラレルRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)5.5エレメント数1ステージ数8
  • onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -1.5 A, SS8550DTA onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -1.5 A, SS8550DTA

    onsemi
    339税込373
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-25最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1.5トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン120, 160最大動作周波数(MHz)200最大パワー消費1 W
  • onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA

    onsemi
    1,998税込2,198
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)150
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFR onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFR

    onsemi
    2,998税込3,298
    1箱(200個)
    7日以内出荷
    仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
  • onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 SOD-323, 2-Pin 1.25V onsemi

    onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 SOD-323, 2-Pin 1.25V

    onsemi
    329税込362
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.7幅(mm)1.25寸法(mm)0.9×1.7×1.25高さ(mm)0.9ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1
  • onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3043M onsemi

    onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3043M

    onsemi
    679税込747
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
  • onsemi 汎用 整流ダイオード, 1A, 200V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.1V onsemi

    onsemi 汎用 整流ダイオード, 1A, 200V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.1V

    onsemi
    1,998税込2,198
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(μs)1.8
  • onsemi 汎用 整流ダイオード, シリーズ, 715mA, 70V 表面実装, 3-Pin SOT-323 (SC-70) シリコンジャンクション 1.25V onsemi

    onsemi 汎用 整流ダイオード, シリーズ, 715mA, 70V 表面実装, 3-Pin SOT-323 (SC-70) シリコンジャンクション 1.25V

    onsemi
    859税込945
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)高速、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)70ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)6最大連続順方向電流(mA)715
  • onsemi ロジックゲート, NAND, 表面実装, 2-入力, 74 onsemi

    onsemi ロジックゲート, NAND, 表面実装, 2-入力, 74

    onsemi
    1,298税込1,428
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様MM74HC00 NAND Gates は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、標準 CMOS 集積回路の低電力消費で LS-TTL Gates と同様の動作速度を実現します。Gates はすべて、バッファ出力を備えています。すべてのデバイスはノイズ耐性に優れ、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます Ability74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的で、ピン配列互換です。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加するこ高さ(mm)1.5タイプロジック:NAND入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL15 ns @ 15 pFゲートあたりの入力数2
  • onsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 W onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 16V スルーホール 1 W

    onsemi
    899税込989
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)16
  • onsemi ツェナーダイオード 27V スルーホール 1 W onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 27V スルーホール 1 W

    onsemi
    929税込1,022
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)9.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)35
  • onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

    onsemi
    549税込604
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-16、+16トランジスタ構成シングル最大パワー消費38 W
  • onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3042M onsemi

    onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3042M

    onsemi
    849税込934
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流:DCチャンネル数1機能(特殊機能)115 V ac電源、静的電源スイッチ、ゼロ電圧クロスのロジック制御を単純化ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)4170 ac
  • onsemi 945nm 赤外線発光ダイオード, サイドルッカー (4.44 x 4.44 x 5.08mm) onsemi

    onsemi 945nm 赤外線発光ダイオード, サイドルッカー (4.44 x 4.44 x 5.08mm)

    onsemi
    1,798税込1,978
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様指向半値角:50°寸法(mm)4.44×4.44×5.08ピーク波長(nm)945ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.5放射強度(mW/sr)12材質(LED)GaAs
  • onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, ダーリントン出力, MOCD223M onsemi

    onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:2, ダーリントン出力, MOCD223M

    onsemi
    859税込945
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:10チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間8μs標準降下時間110μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)2.5
  • onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10S onsemi

    onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DF10S

    onsemi
    939税込1,033
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55~+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1
  • onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AC (SMA), 2-Pin 1.3V onsemi

    onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AC (SMA), 2-Pin 1.3V

    onsemi
    1,398税込1,538
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1
  • onsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 W onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 W

    onsemi
    699税込769
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)19最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)10
  • onsemi 880nm, 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (4.95 (Dia.) x 8.77 (H)mm) onsemi

    onsemi 880nm, 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (4.95 (Dia.) x 8.77 (H)mm)

    onsemi
    1,898税込2,088
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様Fairchild QED222 / QED223シリーズ赤外線LED. Fairchild SemiconductorのQED222 / QED223シリーズは、プラスチックパッケージの赤外線(IR)発光ダイオード(LED)です。 これらのLEDは、標準のT-1 3/4 (5 mm)パッケージに収められています。. QED222 / QED223シリーズの特長: 880 nm AlGaAs LED 透明で紫色 直径5 mm (T-1 3/4)のプラスチックパッケージ 中幅放射角、30° 高出力パワー寸法(mm)4.95 (Dia.)×8.77 (H)ピーク波長(nm)880RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装
  • onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3043SR2M onsemi

    onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トライアック出力, MOC3043SR2M

    onsemi
    879税込967
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
  • onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -200 mA, 2N3906TFR onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -200 mA, 2N3906TFR

    onsemi
    2,598税込2,858
    1箱(200個)
    7日以内出荷
    仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-200トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)250
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, PZTA06 onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, PZTA06

    onsemi
    3,998税込4,398
    1箱(50個)
    7日以内出荷
    仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor寸法(mm)6.7×3.7×1.7ピン数(ピン)3 + TabRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)4最大コレクタ-ベース間電圧(V)80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)100
  • onsemi ロジックゲート, AND, 表面実装, 2-入力, 74 onsemi

    onsemi ロジックゲート, AND, 表面実装, 2-入力, 74

    onsemi
    1,998税込2,198
    1セット(55個)
    7日以内出荷
    仕様論理回路:VHC、74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS高さ(mm)1.5タイプロジック:ANDピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)8高レベル出力電流(mA)(Max)-8最大伝播遅延時間@最大CL14 ns @ 50 pFエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし
  • onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W onsemi

    onsemi ツェナーダイオード 18V スルーホール 1 W

    onsemi
    749税込824
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)14最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
  • onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MCT61 onsemi

    onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MCT61

    onsemi
    709税込780
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様●入力電流タイプ:DC●最大電流変換率:0.5チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)5000ac
  • onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 回路数:8, MM74HC541WMX onsemi

    onsemi バッファ,ラインドライバ表面実装, 20-Pin, 回路数:8, MM74HC541WMX

    onsemi
    999税込1,099
    1箱(10個)
    7日以内出荷
    仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●伝播遅延テスト条件:150pF●論理回路:74HC寸法(mm)13.005×7.595×2.34タイプロジック:バッファ入力LS-TTL出力電流(mA)低レベル:(Max)7.8、高レベル:(Max)7.8ピン数(ピン)20極性反転回路数8実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6最大伝播遅延時間@最大CL208ns出力タイプ3ステート
  • デコーダ onsemi, 16ピン SOIC onsemi

    デコーダ onsemi, 16ピン SOIC

    onsemi
    369税込406
    1箱(5個)
    7日以内出荷
    仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS寸法(mm)10×4×1.5ピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
  • onsemi ロジックゲート, NAND, 表面実装, 2-入力, 74 onsemi

    onsemi ロジックゲート, NAND, 表面実装, 2-入力, 74

    onsemi
    1,198税込1,318
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、論理回路:ACTタイプロジック:NAND入力種類TTLピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし
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