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￥329税込￥362

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仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●シュミットトリガ入力：なし●論理回路：HC幅(mm)4寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：インバータ出力電流(mA)低レベル：(Max)5.2、高レベル：(Max)-5.2ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)61チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL16 ns @ 6 V、 19 ns @ 4.5 V、 95 ns @ 2 V

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， 4N25VMonsemi

￥1,498税込￥1,648

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仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2μs標準降下時間2μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)100絶縁電圧(Vrms)7500最大入力電流(A)3

onsemi バストランシーバ LCXシリーズ 8ビット，非反転， 24mA， 20-Pin TSSOPonsemi

￥689税込￥758

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仕様●74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：LCXタイプロジック：バストランシーバ出力電流(mA)低レベル：(Max)24、高レベル：(Max)-24ピン数(ピン)20極性非反転回路数8RoHS指令(10物質対応)対応出力レベルLVCMOS入力レベルLVTTL， TTL実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大伝播遅延時間@最大CL8 ns @ 2.7 V

onsemi Nチャンネル JFET， 0.4 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥2,598税込￥2,858

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法2.9 x 1.3 x 0.97mmピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)8 to 80最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40

onsemi ロジックゲート， AND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥1,598税込￥1,758

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仕様74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor、論理回路：VHCT長さ(mm)5タイプロジック：AND入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)8高レベル出力電流(mA)(Max)-8最大伝播遅延時間@最大CL9 ns @ 50 pFエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし

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電圧レベルシフタ onsemionsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(25個)

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仕様●伝播遅延テスト条件：50pF●伝送：CMOS●論理回路：LCX寸法(mm)6.6×4.5×1.05動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)2 → 3.6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24出力タイプ3ステート

onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin，回路数:8， 74LCX244WMXonsemi

￥789税込￥868

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仕様●ロジックタイプ：バッファ，ラインドライバ●伝播遅延テスト条件：50pF●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：7.5ns●論理回路：LCX寸法(mm)6.5×4.4×0.9インターフェースバッファ&ラインドライバICピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力パッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min) 2高レベル出力電流(mA)-24出力タイプ3ステート

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 180 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥269税込￥296

1箱(10個)

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仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチング長さ(mm)2.92ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)180最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費360 mW

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， 4N32VMonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(25個)

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仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)500絶縁電圧(Vrms)2500最大入力電流(A)3

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3083Monsemi

￥769税込￥846

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仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500ac

onsemi ツェナーダイオード 10V スルーホール 500 mWonsemi

￥939税込￥1,033

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)3最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)17

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 500 mA， MPSA05RAonsemi

￥2,198税込￥2,418

1箱(50個)

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仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)4最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin SOT-23onsemi

￥949税込￥1,044

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.92×1.3×0.93ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi

￥1,498税込￥1,648

1セット(200個)

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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)4.5最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)84

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 500 mA， MPSA42onsemi

￥1,798税込￥1,978

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仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)300トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)50

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC547CTAonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(100個)

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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)300

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC547CTFRonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1

onsemi ロジックゲート， AND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥839税込￥923

1セット(25個)

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仕様74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路：ACタイプロジック：ANDピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし

onsemi スイッチングダイオード表面実装， 300mA， 75V，シングル，エレメント数 1 SOD-523F， 2-Pin 720mVonsemi

￥669税込￥736

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.3幅(mm)0.9高さ(mm)0.7寸法1.3 x 0.9 x 0.7mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(mW)200最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75

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onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mWonsemi

￥899税込￥989

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)5最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)17ツェナー電圧(V)標準5.1

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onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， MOCD213R2Monsemi

￥929税込￥1,022

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仕様●最小電流伝送率：1●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性MOCD213M デバイスは、 2 つのモノリシックシリコンフォトトランジスタ検出器に光学的に結合されている 2 つのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードで構成されています。表面実装可能な小型アウトラインプラスチックパッケージに収容されています。高密度用途に最適で、スルーボード実装が不要です。厳密に一致する電流伝達率最小 BVCEO ： 70 V 保証 MOCD207M 、 MOCD208M 最小 BVCEO ： 30 V 保証 MOCD211M 、 MOCD213M 、 MOCD217M ロジックインターパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)2500ac(最小)

onsemi ツェナーダイオード 10V スルーホール 1 Wonsemi

￥869税込￥956

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仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)25最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)7

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onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥959税込￥1,055

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3021SR2Monsemi

￥799税込￥879

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)5300

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3083SR2Monsemi

￥759税込￥835

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500ac

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥229税込￥252

1箱(10個)

欠品中

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)500最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費300 mW

onsemi ロジックゲート， OR，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥759税込￥835

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路：HCタイプロジック：OR入力種類CMOSピン数(ピン)14実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL125nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし

onsemi ラッチ， 20-Pin Dタイプ表面実装 MM74HC373WMXonsemi

￥799税込￥879

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●ラッチエレメント：Dタイプ●ラッチモード：透明●論理回路：74HC長さ(mm)13.01寸法(mm)13.005×7.595×2.642高さ(mm)2.642ビット8bitピン数(ピン)20実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2出力タイプ3ステート

onsemi 汎用整流ダイオード，シリーズ， 200mA， 100V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.1Vonsemi

￥209税込￥230

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)200

onsemi バストランシーバ 74ACTシリーズ 8ビット，非反転， 75mA， 4.5→ 5.5 V， 20-Pin SOIConsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS●論理回路：74ACTタイプロジック：バストランシーバ出力電流(mA)低レベル：(Max)75、高レベル：(Max)-75ピン数(ピン)20極性非反転動作温度(℃)-40 (Min)回路数8出力レベルTTL入力レベルTTL実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数18最大伝播遅延時間@最大CL9ns

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， PN2222ATFonsemi

￥17,980税込￥19,778

1リール(2000個)

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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 900 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥679税込￥747

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチング幅(mm)1.4ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)900最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW

onsemi 小信号整流ダイオード， 300mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥339税込￥373

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 600V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF06Sonsemi

￥689税込￥758

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3021SR2VMonsemi

￥899税込￥989

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様MOC301XM 及び MOC302XM シリーズは、光学的に絶縁されたトライアックドライバデバイスです。このデバイスには、トライアックのように機能する GaAs 赤外線発光ダイオードと光作動シリコン双方向スイッチが含まれています。電気制御及び電源トライアック間のインターフェイスとして設計され、 115 V ac 動作の抵抗負荷及び誘導負荷を制御します。優れた IFT 安定性 - 低劣化の赤外線発光ダイオード Peak Blocking 250 V - MOC301XM 400 V - MOC302XMチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSMT実装タイプ表面実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)4.17

onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(200個)

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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)4.5最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)89ツェナー電圧(V)標準3.3

onsemi カウンタ IC 74HCシリーズ 8ステージシフトレジスター単方向， 16-Pin SOIC 1 74onsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(20個)

7日以内出荷

仕様論理回路：74HC寸法(mm)10×4×1.5タイプロジック：シフトレジスターピン数(ピン)16モード(動作/操作)シリアル、パラレルRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6エレメント数1ステージ数8方向性タイプ単方向

onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin，回路数:10， 74LCX244WMonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様●ロジックタイプ：バッファ●伝播遅延テスト条件：50pF●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：7.5 ns @ 50 pF●論理回路：LCX寸法(mm)13×7.6×2.34ピン数(ピン)20極性非反転回路数10RoHS指令(10物質対応)対応特性74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力パッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min) 2高レベル出力電流(mA)-24出力タイプ3ステート

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 220 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥249税込￥274

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仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)220最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.5最大ゲートしきい値電圧(V)1.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費360 mW

onsemi インバータインバータ 74onsemi

￥349税込￥384

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仕様●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS●シュミットトリガ入力：なし●論理回路：ACT寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：インバータ出力電流(mA)低レベル：(Max)24、高レベル：(Max)-24ピン数(ピン)14動作温度(℃)-40 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)5.51チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL8.5 ns @ 5 V

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