47ページ目: onsemiのすべての商品

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -800 mA， BC32725TAonsemi

￥239税込￥263

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW

onsemi ツェナーダイオード 6.8V スルーホール 500 mWonsemi

￥629税込￥692

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)3最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)5

バリエーション一覧へ(2)

onsemi Nチャンネル JFET， 15 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥2,598税込￥2,858

1セット(50個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， 6N135Monsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●最小電流伝送率：0.07●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性6N135M 、 6N136M 、 HCPL4503M 、 HCPL2530M 、 HCPL2531M オプトカプラは、高速光検出器トランジスタに光学的に結合された AlGaAs LED から構成されています。フォトダイオードのバイアス用に別々に接続することで、入力トランジスタのベース - コレクタ静電容量を低減することで、従来のフォトトランジスタオプトカプラよりも速度を桁違いに向上させています。HCPL4503M は、フォトトランジスタベースへの内部接続がないため、ノイズ耐性が向上しています。内部ノイズパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)16絶縁電圧(kVrms)5

onsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 500 mWonsemi

￥699税込￥769

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5.2最大パワー消費(mW)500最大逆漏れ電流(nA)100ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)33

バリエーション一覧へ(2)

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 200V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)50

バリエーション一覧へ(2)

onsemi マルチプレクサ表面実装 SC-70， 6-Pin， NC7SV157P6Xonsemi

￥1,198税込￥1,318

1セット(50個)

5日以内出荷

仕様TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2×1.25×0.9ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥339税込￥373

1箱(10個)

翌々日出荷から5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)170最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最大ゲートしきい値電圧(V)2最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V最大パワー消費360 mW

バリエーション一覧へ(2)

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0高さ(mm)16.51ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)48チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-15 ， +15トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(100個)

7日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル

onsemi PNP ダーリントントランジスタ， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23onsemi

￥579税込￥637

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様ダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)1.2最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大エミッタ-ベース間電圧(V)10最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングルトランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン4000

バリエーション一覧へ(2)

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -500 mA， 2N6520TAonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-350最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-350トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-500トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン30最大動作周波数(MHz)200

onsemi ロジックゲート，インバータ，表面実装， 74onsemi

￥979税込￥1,077

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：LVXタイプロジック：インバータ入力種類シュミットトリガピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)3.6低レベル出力電流(mA)(Max)4高レベル出力電流(mA)(Max)-4最大伝播遅延時間@最大CL23 ns @ 50 pFエレメント数6シュミットトリガー入力あり

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：2，トランジスタ出力， MOCD217R2Monsemi

￥699税込￥769

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.3チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間3.2μs標準降下時間4.7μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)2500ac

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， 4N33Monsemi

￥639税込￥703

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs

onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 500 mWonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)8.5最大パワー消費(mW)500最大逆漏れ電流(nA)100ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)16

バリエーション一覧へ(2)

onsemi Pチャンネル JFET， 15 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥3,298税込￥3,628

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ゲート-ソース間電圧(V)30IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)-2 to -15最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-30

onsemi インバータインバータシュミットトリガ 74onsemi

￥389税込￥428

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：AC寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：インバータ出力電流(mA)低レベル：(Max)24、高レベル：(Max)-24ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)61チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL13.5ns

onsemi インバータインバータ TTL 74onsemi

￥4,498税込￥4,948

1セット(55個)

7日以内出荷

仕様論理回路：74ACT、AC/ACT04 には 6 つのインバータがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました出力ソース / シンク： 24 mA ACT04 は TTL 互換入力を備えています用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています寸法(mm)8.75×4×1.5高さ(mm)1.5タイプロジック：インバータ入力種類TTLピン数(ピン)14動作温度(℃)(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL9 ns @ 50 pF出力タイプシングルエンド

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥489税込￥538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大連続ドレイン電流：1.3 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 500 mWonsemi

￥879税込￥967

1箱(250個)

7日以内出荷

仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)1.91 (Dia.)×4.56ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)-65 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)1600 @ 0.25 mA、 17 @ 20 mA最大パワー消費500 mW

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3063SMonsemi

￥859税込￥945

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500

onsemi シフトレジスタ VHCシリーズ 8ステージシフトレジスター， 14-Pin SOP 1 74onsemi

￥939税込￥1,033

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、リセットタイプ：非シンクロナス、論理回路：VHC寸法(mm)10.2×5.3×1.8タイプロジック：シフトレジスターピン数(ピン)14モード(動作/操作)シリアル to パラレルRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)5.5エレメント数1ステージ数8

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -1.5 A， SS8550DTAonsemi

￥319税込￥351

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-25最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1.5トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン120， 160最大動作周波数(MHz)200最大パワー消費1 W

onsemi インバータインバータシュミットトリガ 74onsemi

￥339税込￥373

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様●74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：HCT長さ(mm)8.75寸法(mm)8.75×4×1.5高さ(mm)1.5タイプロジック：インバータ出力電流(mA)低レベル：(Max)4.8、高レベル：(Max)-4.8ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL20 ns @ 5 V

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -100 mA， BC557BTAonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)150

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， PN2222ATFRonsemi

￥3,298税込￥3,628

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100

onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 SOD-323， 2-Pin 1.25Vonsemi

￥209税込￥230

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.7幅(mm)1.25寸法(mm)0.9×1.7×1.25高さ(mm)0.9ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1

バリエーション一覧へ(2)

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3043Monsemi

￥569税込￥626

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

onsemi 汎用整流ダイオード， 1A， 200V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.1Vonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(μs)1.8

onsemi 汎用整流ダイオード，シリーズ， 715mA， 70V 表面実装， 3-Pin SOT-323 (SC-70) シリコンジャンクション 1.25Vonsemi

￥499税込￥549

1箱(50個)

7日以内出荷

仕様メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)高速、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)70ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)6最大連続順方向電流(mA)715

onsemi ロジックゲート， NAND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥999税込￥1,099

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様MM74HC00 NAND Gates は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、標準 CMOS 集積回路の低電力消費で LS-TTL Gates と同様の動作速度を実現します。Gates はすべて、バッファ出力を備えています。すべてのデバイスはノイズ耐性に優れ、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます Ability74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的で、ピン配列互換です。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加するこ高さ(mm)1.5タイプロジック：NAND入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL15 ns @ 15 pFゲートあたりの入力数2

onsemi ツェナーダイオード 27V スルーホール 1 Wonsemi

￥839税込￥923

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)9.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)35

バリエーション一覧へ(2)

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 11 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥599税込￥659

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-16、+16トランジスタ構成シングル最大パワー消費38 W

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3042Monsemi

￥849税込￥934

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)115 V ac電源、静的電源スイッチ、ゼロ電圧クロスのロジック制御を単純化ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)4170 ac

onsemi 945nm 赤外線発光ダイオード，サイドルッカー (4.44 x 4.44 x 5.08mm)onsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様指向半値角：50°寸法(mm)4.44×4.44×5.08ピーク波長(nm)945ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.5放射強度(mW/sr)12材質(LED)GaAs

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：2，ダーリントン出力， MOCD223Monsemi

￥889税込￥978

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：10チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間8μs標準降下時間110μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)2.5

onsemi スイッチングダイオード表面実装，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.3Vonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1

バリエーション一覧へ(2)

onsemi ツェナーダイオード 13V スルーホール 1 Wonsemi

￥639税込￥703

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)19最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)10

バリエーション一覧へ(2)

onsemi 880nm， 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (4.95 (Dia.) x 8.77 (H)mm)onsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様Fairchild QED222 / QED223シリーズ赤外線LED. Fairchild SemiconductorのQED222 / QED223シリーズは、プラスチックパッケージの赤外線(IR)発光ダイオード(LED)です。これらのLEDは、標準のT-1 3/4 (5 mm)パッケージに収められています。. QED222 / QED223シリーズの特長: 880 nm AlGaAs LED 透明で紫色直径5 mm (T-1 3/4)のプラスチックパッケージ中幅放射角、30° 高出力パワー寸法(mm)4.95 (Dia.)×8.77 (H)ピーク波長(nm)880RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装

すべてのカテゴリ

安全保護具・作業服・安全靴

物流/保管/梱包用品/テープ

安全用品/防災・防犯用品/安全標識

オフィスサプライ

オフィス家具/照明/清掃用品

切削工具・研磨材

測定・測量用品

作業工具/電動・空圧工具

スプレー・オイル・グリス/塗料/接着・補修/溶接

配管・水廻り部材/ポンプ/空圧・油圧機器・ホース

メカニカル部品/機構部品

制御機器/はんだ・静電気対策用品

建築金物・建材・塗装内装用品

空調・電設資材/電気材料

ねじ・ボルト・釘/素材

自動車用品

トラック用品

バイク用品

自転車用品

科学研究・開発用品/クリーンルーム用品

厨房機器・キッチン/店舗用品

農業資材・園芸用品

医療・介護用品

使用用途などの自然な言葉で検索できるようになりました（例：工場の床に白い線を引く）詳細はこちら