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onsemi 整流ダイオード， コモンカソード， 200mA， 30V 表面実装， 3-Pin SOT-323 (SC-70) ショットキーバリア 800mV
onsemi￥989税込￥1,0881箱(100個)7日以内出荷仕様メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けにピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)コモンカソード整流方式ショットキーダイオードRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(mV)800ピーク逆繰返し電圧(V)30ピーク非繰返し順方向サージ電流(mA)600ピーク逆回復時間(ns)5最大連続順方向電流(mA)200
onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 500 mW
onsemi￥899税込￥9891箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)2最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)19
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， 4N33SM
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)500絶縁電圧(Vrms)1500最大入力電流(A)3
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥359税込￥3951箱(10個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。幅(mm)1.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)-65 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)280最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費300 mW
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， MCT2EM
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2μs標準降下時間1.5μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -600 mA， 2N4403BU
onsemi￥2,898税込￥3,1881箱(200個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-600トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)200
電圧レベルトランスレータ onsemi
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(25個)7日以内出荷仕様AC/ACT245 には、 3 ステート出力の非反転双方向バッファが 8 個あり、バス指向の用途を想定しています。電流シンク機能は、 A ポートと B ポートの両方で 24 mA です。送受信( T/R# )入力は、双方向トランシーバを通過するデータフローの方向を決定します。送信(アクティブ HIGH )は A ポートから B ポートへのデータ送信を可能にし、受信(アクティブ LOW )は B ポートから A ポートへのデータ送信を可能にします。出力イネーブル入力を HIGH にすると、 A ポートと B寸法(mm)13×7.6×2.35ピン数(ピン)20動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.51チップ当たりのエレメント数1低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24
onsemi ロジックゲート， インバータ， 表面実装， 74
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(25個)7日以内出荷仕様論理回路：HCT高さ(mm)1.5タイプロジック：インバータ入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)4.8高レベル出力電流(mA)(Max)4.8最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 15 pF
onsemi ツェナーダイオード 5.1V スルーホール 1 W
onsemi￥929税込￥1,0221箱(100個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)49最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)7onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC549BTA
onsemi￥2,898税込￥3,1881箱(200個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23
onsemi￥689税込￥7581箱(25個)7日以内出荷仕様ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)1.2最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大エミッタ-ベース間電圧(V)10最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン4000
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， オープンコレクタ出力， 6N137SDM
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間30ns標準降下時間10ns出力デバイス光電センサ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)200絶縁電圧(V)5000 ac
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3052M
onsemi￥699税込￥7691箱(5個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ロジックゲート出力， 6N137SM
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間30ns標準降下時間10ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)30絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi スイッチングダイオード， シングル，エレメント数 1
onsemi￥159税込￥1751箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングルRoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 5 A， BUT11AFTU
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)450最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)1000トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)5トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン0最大パワー消費40 W
onsemi ロジックゲート， OR， 表面実装， 2-入力， 74
onsemi￥719税込￥7911セット(25個)7日以内出荷仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、論理回路：ACTタイプロジック：OR入力種類TTLピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3052TVM
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY173M
onsemi￥529税込￥5821箱(10個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2●最小電流伝送率：1チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MCT9001SD
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(10個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSMT実装タイプ表面実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)5onsemi 小信号 整流ダイオード， 500mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(500個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)500
onsemi フォトトランジスタ， スルーホール実装， 赤外線 4ピン QRD1114
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(10個)7日以内出荷仕様●エミッタコレクタ電圧：5V●コレクター電流：1 (Minimum)mA●最大暗電流：100nA●最大検出波長：940nm●検出スペクトル：赤外線寸法(mm)4.39×6.1×4.65チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージCustom 4L実装タイプスルーホール実装標準上昇時間10μs標準降下時間50μs
onsemi CMOS バッファ 反転， 20ピン SOIC
onsemi￥2,598税込￥2,8581セット(36個)7日以内出荷仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：CMOSタイプロジック：バッファ入力種類LS-TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性反転動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL190 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， 回路数:8， 74LVT244MTC
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(10個)7日以内出荷仕様●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTL●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：74LVT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック：バッファ， ラインドライバインターフェースバッファ&ラインドライバIC出力電流(mA)低レベル：(Max)64、高レベル：(Max)-32ピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6最大伝播遅延時間@最大CL4.2ns出力タイプ3ステートonsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -1.5 A， SS8550CBU
onsemi￥369税込￥4061箱(10個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-25最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1.5トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン120， 160最大動作周波数(MHz)200最大パワー消費1 W
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 210 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(100個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)340チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)210最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi ツェナーダイオード 33V スルーホール 1 W
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)7.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)45onsemi 整流ダイオード， シリーズ， 200mA， 200V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.15V
onsemi￥479税込￥5271箱(20個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2最大連続順方向電流(mA)200
onsemi PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB
onsemi￥299税込￥3291個7日以内出荷仕様最大連続コレクタ電流：0.3333333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)100最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタカットオフ電流(mA)0.05最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)2.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)100トランジスタ構成シングルトランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン200最小動作温度(℃)-65onsemi CMOS バッファ 非反転， 20ピン TSSOP
onsemi￥5,998税込￥6,5981セット(73個)7日以内出荷仕様論理回路：CMOS、74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSタイプロジック：バッファ入力種類LS-TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性非反転動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL190 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステートonsemi ツェナーダイオード 6.8V スルーホール 500 mW
onsemi￥679税込￥7471箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)3最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)5onsemi Nチャンネル JFET， 15 V， 3-Pin SOT-23
onsemi￥2,598税込￥2,8581セット(50個)7日以内出荷仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， 6N135M
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(10個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●最小電流伝送率：0.07●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性6N135M 、 6N136M 、 HCPL4503M 、 HCPL2530M 、 HCPL2531M オプトカプラは、高速光検出器トランジスタに光学的に結合された AlGaAs LED から構成されています。フォトダイオードのバイアス用に別々に接続することで、入力トランジスタのベース - コレクタ静電容量を低減することで、従来のフォトトランジスタオプトカプラよりも速度を桁違いに向上させています。HCPL4503M は、フォトトランジスタベースへの内部接続がないため、ノイズ耐性が向上しています。内部ノイズパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)16絶縁電圧(kVrms)5onsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 500 mW
onsemi￥999税込￥1,0991箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5.2最大パワー消費(mW)500最大逆漏れ電流(nA)100ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)33
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 200V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥1,798税込￥1,9781箱(50個)7日以内出荷仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)50
onsemi マルチプレクサ 表面実装 SC-70， 6-Pin， NC7SV157P6X
onsemi￥1,198税込￥1,3181セット(50個)7日以内出荷仕様TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2×1.25×0.9ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥359税込￥3951箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)170最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6最大ゲートしきい値電圧(V)2最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V最大パワー消費360 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0高さ(mm)16.51ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)48チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-15 ， +15トランジスタ構成シングルonsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(100個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi ロジックゲート， バッファ， 表面実装， 74
onsemi￥1,798税込￥1,9781箱(25個)7日以内出荷仕様論理回路：LCX長さ(mm)5.1タイプロジック：バッファピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)32最大伝播遅延時間@最大CL3.7 ns @ 50 pFエレメント数6
