絞り込み
ブランド
- onsemi
- モノタロウ(5,881)
- ホンダ(551,142)
- MAZDA(マツダ)(216,924)
- 三菱ふそう(209,529)
- SMC(202,090)
- トヨタ(140,350)
- ミツビシ(138,223)
- YAMAHA(ヤマハ)(91,840)
- ニッサン(87,984)
- オカムラ(岡村製作所)(76,166)
- エスコ(72,084)
- スズキ(68,386)
- BIGM(丸山製作所)(66,122)
- スバル(50,980)
- 日野自動車(47,260)
- Kawasaki(43,561)
- いすゞ自動車(41,304)
- メディアカバーマーケット(35,675)
- RS PRO(34,501)
- Panasonic(パナソニック)(32,074)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
- 工具の通販モノタロウ
- ブランド一覧
- onsemi
- 44ページ目
44ページ目: onsemiのすべての商品
onsemi ツェナーダイオード 3.3V スルーホール 500 mWonsemi￥899税込￥989
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)25最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3012Monsemi￥1,498税込￥1,648
1箱(20個)
7日以内出荷
チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170 ac (最小)
onsemi 940nm 赤外線発光ダイオード， 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (6.1 Dia. x 8.77mm)onsemi￥1,398税込￥1,538
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様指向半値角：40°寸法(mm)6.1 Dia.×8.77ピーク波長(nm)940ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.6放射強度(mW/sr)27 (Minimum)材質(LED)AlGaAs、GaAs
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1Vonsemi￥1,798税込￥1,978
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.1
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY172Monsemi￥479税込￥527
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.25●最小電流伝送率：0.63チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mWonsemi￥999税込￥1,099
1セット(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)2.7最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)75
onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1 Wonsemi￥1,698税込￥1,868
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)53最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 7.2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi￥1,398税込￥1,538
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 10 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)3チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-65
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -600 mA， 2N4403TFRonsemi￥3,198税込￥3,518
1箱(200個)
5日以内出荷から7日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-600トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)200
onsemi ツェナーダイオード 8.2V スルーホール 500 mWonsemi￥649税込￥714
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)3最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 120 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥949税込￥1,044
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング高さ(mm)0.93ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)360チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)120最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)10最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V
onsemi 汎用 整流ダイオード， コモンカソード， 200mA， 100V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.1Vonsemi￥229税込￥252
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)コモンカソード整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)200
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY17F4Monsemi￥1,798税込￥1,978
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間6μs標準降下時間24μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -800 mA， PN2907ATAonsemi￥299税込￥329
1箱(10個)
6日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大パワー消費625 mW
onsemi Nチャンネル JFET， 20 V， 3-Pin SOT-23onsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)10 to 40最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MOCD207Monsemi￥539税込￥593
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間1.6μs標準降下時間2.2μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.55最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)2.5
onsemi 74HCシリーズ フリップフロップ 表面実装 2→ 6 V， 20-Pin SOIConsemi￥889税込￥978
1セット(10個)
5日以内出荷
仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●セット/リセット：リセット●論理回路：74HCタイプロジック：D タイプ入力CMOSピン数(ピン)20トリガー正エッジ極性非反転動作温度(℃)(Max)+85実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)61チップ当たりのエレメント数8最大伝播遅延時間@最大CL170ns出力タイプLSTTL
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3021Monsemi￥449税込￥494
1箱(5個)
4日以内出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500ac
onsemi ツェナーダイオード 24V スルーホール 1 Wonsemi￥799税込￥879
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)10.5最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)25
onsemi フォトトランジスタ， スルーホール実装， 赤外線 2ピン QSD124onsemi￥1,698税込￥1,868
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様半値幅感度角度：±12°、最大暗電流：100nA、検出スペクトル：赤外線寸法(mm)6.1 Dia.×8.77電圧(V)エミッタコレクタ：5チャンネル数1電流(mA)コレクター：39ピン数(ピン)2検出波長最大880nmRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間7μs標準降下時間7μs
onsemi 整流ダイオード， 2A， 30V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) ショットキーバリア 500mVonsemi￥1,298税込￥1,428
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル整流方式ショットキー整流器RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)500ピーク逆繰返し電圧(V)30ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50最大連続順方向電流(A)2
onsemi ロジックゲート， NAND， 表面実装， 2-入力， 74onsemi￥999税込￥1,099
1セット(25個)
5日以内出荷
仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：HC寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：NAND入力種類CMOSピン数(ピン)14実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL158nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 2.5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi￥759税込￥835
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11 nC @ 10 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチングパッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi 小信号 整流ダイオード， 500mA， 200V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1Vonsemi￥2,498税込￥2,748
1箱(200個)
3日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.91ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)500
onsemi ロジックゲート， NOR， 表面実装， 2-入力， NC7S02M5Xonsemi￥88税込￥97
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード●シュミットトリガ入力：なし●論理回路：TinyLogic HS幅(mm)1.7タイプロジック：NOR出力電流(mA)低レベル：(Max)2.6、高レベル：(Max)-2.6ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6エレメント数1ゲートあたりの入力数2
onsemi ロジックゲート， AND， 表面実装， 2-入力， 74onsemi￥1,598税込￥1,758
1箱(25個)
7日以内出荷
仕様論理回路：ACT高さ(mm)1.5タイプロジック：ANDピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pFエレメント数4ゲートあたりの入力数2
onsemi TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 53.3V， SMCJ33CAonsemi￥419税込￥461
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様ダイオード構成：シングル寸法(mm)7.15×6.25×2.45高さ(mm)2.45ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0パッケージDO-214AB (SMC)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)33最大クランピング電圧(V)53.3最小ブレークダウン電圧(V)36.7ピークパルスパワー消費(W)1500最大ピークパルス電流(A)28.1最小動作温度(℃)-55
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC550CTAonsemi￥3,198税込￥3,518
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン420最大動作周波数(MHz)1
onsemi 74LCX バッファ 非反転， 14ピン DQFNonsemi￥999税込￥1,099
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力、論理回路：74LCX幅(mm)2.5タイプロジック：バッファ入力種類シングルエンドチャンネル数4ピン数(ピン)14極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)3.6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL6.5 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート
onsemi インバータ インバータ シュミットトリガ 74onsemi￥469税込￥516
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：HC幅(mm)4寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：インバータ出力電流(mA)低レベル：(Max)5.2、高レベル：(Max)-5.2ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)61チップ当たりのエレメント数6最大伝播遅延時間@最大CL125 ns @ 2 V、 21 ns @ 6 V、 25 ns @ 4.5 V
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥1,398税込￥1,538
1セット(100個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)1.2ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)300最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最小ゲートしきい値電圧(V)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 800 mA， BC33716BUonsemi￥1,698税込￥1,868
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MCT62SDonsemi￥1,198税込￥1,318
1箱(10個)
7日以内出荷
仕様最小電流伝送率：1チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSMT実装タイプ表面実装標準上昇時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)20絶縁電圧(kVrms)5
onsemi THTダイオード， 100V / 300mA， 2-Pin DO-35onsemi￥479税込￥527
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300
onsemi 整流ダイオード， 1A， 20V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) ショットキーバリア 500mVonsemi￥1,798税込￥1,978
1箱(50個)
5日以内出荷
仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル整流方式ショットキー整流器RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)500ピーク逆繰返し電圧(V)20ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)40最大連続順方向電流(A)1
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -17 A， 2SA1943OTUonsemi￥4,198税込￥4,618
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様最大動作周波数：30 MHzピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性パワーPNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorパッケージTO-264実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-250最大パワー消費(W)150最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-250トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-17トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン55， 80最大動作温度(℃)150
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 200 mA， MMPQ3904onsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(5個)
7日以内出荷
仕様最大動作周波数：250 MHzピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応特性デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数4最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)66最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成絶縁型最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最大動作温度(℃)150
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MCT62Sonsemi￥729税込￥802
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)1絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC547BBUonsemi￥3,298税込￥3,628
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， 4N25Monsemi￥459税込￥505
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-W実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2μs標準降下時間2μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5絶縁電圧(Vrms)4170